Проведены экспериментальные исследования и теоретические расчеты фотоэмиссии для ультратонких интерфейсов Cs/n-GaN(0001) и Ba/n-GaN(0001). Электронные свойства интерфейсов исследованы in situ методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии в вакууме P~ 5· 10^-11 Torr. Обнаружен новый эффект - появление фотоэмиссии с большим квантовым выходом при возбуждении светом из области прозрачности GaN. Показано, что в результате адсорбции Cs или Ba на n-GaN происходит образование квази-2D электронного канала - зарядового аккумуляционного слоя непосредственно у поверхности. Изучены фотоэмиссионные спектры и работа выхода как функция толщины Cs- и Ba-покрытия. Установлено, что адсорбция Cs и Ba приводит к резкому понижению работы выхода соответственно, до ~ 1.45 и ~ 1.95 eV. Проведены расчеты спектров фотоэмиссии и получены параметры аккумуляционного слоя - энергетическая глубина слоя ниже уровня Ферми для различных Cs- и Ba-покрытий. Показано, что энергетическими параметрами аккумуляционного слоя на поверхности n-GaN(0001) можно целенаправленно управлять за счет изменения Cs- или Ba-покрытия. Установлено, что максимальная глубина слоя достигается при цезиевом покрытии ~ 0.5 монослоя. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грaнт N 04-02-17621) и программы "Индустрия наносистем и материалов" (грант N 4 ИН-12.1/005). PACS: 73.20.-r, 79.60.-i

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.