ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Политипизм карбида кремния и барьеры Шоттки

С.Ю.Давыдов, О.В.Посредник\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 10 июня 2005 г.)

Результаты предыдущей работы (ФТТ 46, 2135 (2004) ) пересмотрены с учетом зависимости электронного сродства от политипа SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансии в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели.

Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-16 и 04-02016632а).

PACS: 71.55.Ht, 73.30.+y

 PDF версия (76Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster