Издателям
Вышедшие номера
Политипизм карбида кремния и барьеры Шоттки
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Результаты предыдущей работы (ФТТ 46, 2135 (2004) ) пересмотрены с учетом зависимости электронного сродства от политипа SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансии в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-16 и 04-02016632а). PACS: 71.55.Ht, 73.30.+y
  • Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП 17, 10, 1757 (1983)
  • Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография 28, 5, 910 (1983)
  • А.А. Лебедев. ФТП 33, 7, 769 (1999)
  • С.Ю. Давыдов. ФТТ 46, 12, 2135 (2004)
  • M.J. Bazack. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 3, 549 (1997)
  • Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1994)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП 40, в печати (2006)
  • Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.