Вышедшие номера
Политипизм карбида кремния и барьеры Шоттки
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Результаты предыдущей работы (ФТТ 46, 2135 (2004) ) пересмотрены с учетом зависимости электронного сродства от политипа SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансии в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-16 и 04-02016632а). PACS: 71.55.Ht, 73.30.+y
  1. Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП 17, 10, 1757 (1983)
  2. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография 28, 5, 910 (1983)
  3. А.А. Лебедев. ФТП 33, 7, 769 (1999)
  4. С.Ю. Давыдов. ФТТ 46, 12, 2135 (2004)
  5. M.J. Bazack. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 3, 549 (1997)
  6. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1994)
  7. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП 40, в печати (2006)
  8. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990)
  9. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.