Издателям
Вышедшие номера
Электрические и термоэлектрические свойства биоморфного композита SiC/Si при высоких температурах
Шелых А.И.1, Смирнов Б.И.1, Орлова Т.С.1, Смирнов И.А.1, de Arellano-Lopez A.R.2, Martinez-Fernandez J.2, Varela-Feria F.M.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Universidad de Sevilla, Sevilla, Spain
Email: Igor.Smirnov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

В интервалах температур 100-950 и 100-750 K измерены соответственно удельное электросопротивление rho и коэффициент термоэдс alpha биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе пористой углеродной матрицы, полученной путем пиролиза дерева (белого эвкалипта), с последующей инфильтрацией в пустые каналы этой матрицы расплавленного кремния. В результате химической реакции Si с углеродом матрицы образуется 3C-SiC, который формирует с "избытком" Si, не вступившим в реакцию с углеродом, биоморфный композит SiC/Si. Исследовались образцы SiC/Si с концентрацией "избыточного" Si~ 30 vol.% и пористостью ~13-15 vol.%. Измерение rho проводилось на образцах, вырезанных вдоль (rho||) и поперек (rho normal ) направления роста дерева, а величина alpha измерялась на образце, вырезанном вдоль направления роста дерева. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), программы Президиума РАН (П-28) и технологии Испании (проект MAT 2003-05202-C02-01). PACS: 72.80.Tm, 72.20.-i
  • A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, P. Gonzalez, C. Dominguez, V. Fernandez-Quero, M. Singh. Int. J. Appl. Cer. Technol. 1, 1, 1 (2004)
  • Б.И. Смирнов, Ю.А. Буренков, Б.К. Кардашев, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez. ФТТ 45, 3, 456 (2003)
  • Л.С. Парфеньева, Т.С. Орлова, Н.Ф. Картенко, Н.В. Шаренкова, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, Y. Misiorek, A. Jezowski, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez. ФТТ 47, 7, 1175 (2005)
  • T.S. Orlova, B.I. Smirnov, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, R. Sepulveda. ФТТ 47, 2, 229 (2005).
  • А.И. Шелых, Б.И. Смирнов, И.А. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M. Varela-Feria. ФТТ 48, 2, 124 (2006)
  • P. Gonzalez, J.P. Borrajo, J. Serra, S. Liste, S. Chiussi, B. Leon, K. Semmelmann, A. de Carlos, F.M. Varela-Feria, J. Martinez-Fernandez, A.R. de Arellano-Lopez. Key Eng. Mater. 254--256, 1029 (2004)
  • С.С. Шалыт. Электропроводность полупроводников. В. 1--2. Ленинградский дом научно-технической пропаганды, ИПАН АН СССР, Л. (1956). 96 с
  • Л.С. Айвазова, С.Н. Горин, В.Г. Сидякин, И.М. Шварц. ФТП 11, 9, 1826 (1977)
  • Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники. Информационно-аналитический обзор по материалам отечественной и зарубежной печати. Экос, М. (1984). 133 с
  • Э.А. Бельская, А.С. Тарабанов. В сб.: Теплофизические свойства твердых тел. Наук. думка, Киев (1971). С. 111.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.