ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические и термоэлектрические свойства биоморфного композита SiC/Si при высоких температурах

А.И.Шелых, Б.И.Смирнов, Т.С.Орлова, И.А.Смирнов, A.R.de Arellano-Lopez\kern 1pt*,
J.Martinez-Fernandez\kern1pt*, F.M.Varela-Feria\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Universidad de Sevilla, 41080 Sevilla, Spain
E-mail: Igor.Smirnov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 18 мая 2005 г.)

В интервалах температур 100-950 и 100-750 K измерены соответственно удельное электросопротивление rho и коэффициент термоэдс alpha биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе пористой углеродной матрицы, полученной путем пиролиза дерева (белого эвкалипта), с последующей инфильтрацией в пустые каналы этой матрицы расплавленного кремния. В результате химической реакции Si с углеродом матрицы образуется 3C-SiC, который формирует с \glqq избытком\grqq Si, не вступившим в реакцию с углеродом, биоморфный композит SiC/Si. Исследовались образцы SiC/Si с концентрацией \glqq избыточного\grqq Si~ 30 vol.% и пористостью ~13-15 vol.%.

Измерение rho проводилось на образцах, вырезанных вдоль (rho||) и поперек (rho normal ) направления роста дерева, а величина alpha измерялась на образце, вырезанном вдоль направления роста дерева.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), программы Президиума РАН (П-28) и технологии Испании (проект MAT 2003-05202-C02-01).

PACS: 72.80.Tm, 72.20.-i

 PDF версия (141Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster