ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм адсорбции молекул H2S на поверхности GaAs(100): квантово-химический анализ из первых принципов

М.В.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: mleb@triat.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 24 февраля 2005 г.)

Для изучения механизма адсорбции молекулы H2S на галлиевую поверхность GaAs(100) проводились квантово-химические кластерные расчеты из первых принципов в рамках теории функционала плотности. Показано, что адсорбция может проходить четыре стадии: молекулярная адсорбция; диссоциативная адсорбция, при которой радикал HS адсорбируется на атом галлия, составляющий димер, а отделившийся атом водорода --- на другой поверхностный атом полупроводника; миграция адатома водорода между соседними поверхностными атомами полупроводника; формирование мостиковой связи Ga-S-Ga и молекулы водорода. Определены энергии стационарных состояний и энергетические барьеры для переходов между этими состояниями. Выводы, сделанные на основании анализа рассчитанных диаграмм потенциальной энергии протекающих процессов, находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными, имеющимися в литературе.

PACS: 68.43.Bc, 68.43.Jk

 PDF версия (485Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster