Вышедшие номера
Механизм адсорбции молекул H2S на поверхности GaAs(100): квантово-химический анализ из первых принципов
Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Для изучения механизма адсорбции молекулы H2S на галлиевую поверхность GaAs(100) проводились квантово-химические кластерные расчеты из первых принципов в рамках теории функционала плотности. Показано, что адсорбция может проходить четыре стадии: молекулярная адсорбция; диссоциативная адсорбция, при которой радикал HS адсорбируется на атом галлия, составляющий димер, а отделившийся атом водорода - на другой поверхностный атом полупроводника; миграция адатома водорода между соседними поверхностными атомами полупроводника; формирование мостиковой связи Ga-S-Ga и молекулы водорода. Определены энергии стационарных состояний и энергетические барьеры для переходов между этими состояниями. Выводы, сделанные на основании анализа рассчитанных диаграмм потенциальной энергии протекающих процессов, находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными, имеющимися в литературе. PACS: 68.43.Bc, 68.43.Jk
  1. F. Seker, K. Meeker, T.F. Kuech, A.B. Ellis. Chem. Rev. 100, 2505 (2000)
  2. L. Koenders, M. Blomacher, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1416 (1988)
  3. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhatt. Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987)
  4. S. Lodha, D.B. Janes. Appl. Phys. Lett. 85, 2809 (2004)
  5. J.-K. Yang, H.-H. Park, H. Kim, H.W. Jang, J.-L. Lee, S. Im. Thin Solid Films 447--448, 626 (2004)
  6. Z.Y. Liu, D.A. Saulys, T.F. Kuech. Appl. Phys. Lett. 85, 4391 (2004)
  7. X. Zhang, A.Z. Li, C. Lin, Y.L. Cheng, G.Y. Xu, M. Qi, Y.G. Zhang. J. Cryst. Growth 251, 782 (2003)
  8. A. Gin, Y. Wei, A. Hood, A. Bajowala, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, M. Tidrow. Appl. Phys. Lett. 84, 2037 (2004)
  9. T. Tiedje, K.M. Colbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J. Vac. Sci. Technol. B 7, 837 (1989)
  10. H. Kawanishi, Y. Sugimoto, K. Akita. J. Appl. Phys. 70, 805 (1991)
  11. E. Deichsel, G. Franz. J. Vac. Sci. Technol. A 22, 2201 (2004)
  12. E. Dudzik, C. Muller, I.T. McGovern, D.R. Lloyd, A. Patchett, D.R.T. Zahn, T. Johal, R. McGrath. Surf. Sci. 344, 1 (1995)
  13. M. Cakmak, G.P. Srivastava. Phys. Rev. B 57, 4486 (1998)
  14. Y. Ishikawa, T. Fujui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1163 (1997)
  15. J.S. Foord, E.T. FitzGerald. Surf. Sci. 306, 29 (1994)
  16. M.G. Nooney, V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1837 (1995)
  17. S.I. Yi, C.-H. Chung, W.H. Weinberg. J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1168 (1997)
  18. H.H. Huang, Z. Zou, X. Jiang, G.Q. Xu. Surf. Sci. 396, 304 (1998)
  19. M.D. Pashley. Phys. Rev. B 40, 10 481 (1989)
  20. Q. Fu, L. Li, R.F. Hicks. Phys. Rev. B 61, 11 034 (2000)
  21. Q. Fu, L. Li, C.H. Li, M.J. Begarney, D.C. Law, R.F. Hicks. J. Phys. Chem. B 104, 5595 (2000)
  22. A. Jenichen, C. Engler. J. Phys. Chem. B 104, 8210 (2000)
  23. M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel, G.E. Scuseria, et al. Gaussian 03. Revision C.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT (2004)
  24. J.P. Perdew, K. Burke, Y. Wang. Phys. Rev. B 54, 16 533 (1996)
  25. C. Adamo, V. Barone. J. Chem. Phys. 108, 664 (1998)
  26. G. Igel-Mann, H. Stoll, H. Preuss. Mol. Phys. 65, 1321 (1988)
  27. A. Bergner, M. Dolg, W. Kuechle, H. Stoll, H. Preuss. Mol. Phys. 80, 1431 (1993)
  28. T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B 42, 11 194 (1990)
  29. X.M. Wei, Q.P. Liu, Z. Zou, G.Q. Xu. Appl. Phys. Lett. 73, 2793 (1998)
  30. Z. Zou, X.M. Wei, Q.P. Liu, H.H. Huang, W.S. Sim, G.Q. Xu, C.H.A. Huan. Chem. Phys. Lett. 312, 149 (1999)
  31. C.-H. Chung, S.I. Yi, W.H. Weinberg. Appl. Phys. Lett. 69, 3369 (1996)
  32. N. Yoshida, S. Chichibu, T. Akane, M. Totsuka, H. Uji, S. Matsumoto, H. Higuchi. Appl. Phys. Lett. 63, 3035 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.