| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Наногетероструктуры SiGeGaAs для фотоэлектрических преобразователей
О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров, Н.А.Паханов,
Л.В.Соколов, С.И.Чикичев, А.И.Якимов
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: pch@isp.nsc.ru
|
Синтез из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме является перспективным методом получения многослойных полупроводниковых тонкопленочных композиций для высокоэффективного преобразования тепловой и солнечной энергии в электричество, когда необходимо создание каскадных преобразователей со сложным оптимизированным химическим составом и профилем легирования. До недавнего времени нанотехнологии, связанные с получением гетероструктур, включающих квантовые ямы, сверхрешетки и квантовые точки, для фотоэлектрического преобразования не применялись. Проведен анализ состояния технологических разработок в этой области. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16506, 03-02-16468 и 03-02-16085), Межотраслевой научно-технической программой \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (грант N 98-1100), грантом поддержки ведущих научных школ России НШ-533-2003-2 и Межвузовской научной программой \glqq Университеты России --- фундаментальные исследования\grqq (грант N 4103).
|
| PDF версия (110Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |