Вышедшие номера
Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей
Пчеляков О.П.1, Двуреченский А.В.1, Никифоров А.И.1, Паханов Н.А.1, Соколов Л.В.1, Чикичев С.И.1, Якимов А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: pch@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Синтез из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме является перспективным методом получения многослойных полупроводниковых тонкопленочных композиций для высокоэффективного преобразования тепловой и солнечной энергии в электричество, когда необходимо создание каскадных преобразователей со сложным оптимизированным химическим составом и профилем легирования. До недавнего времени нанотехнологии, связанные с получением гетероструктур, включающих квантовые ямы, сверхрешетки и квантовые точки, для фотоэлектрического преобразования не применялись. Проведен анализ состояния технологических разработок в этой области. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16506, 03-02-16468 и 03-02-16085), Межотраслевой научно-технической программой "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 98-1100), грантом поддержки ведущих научных школ России НШ-533-2003-2 и Межвузовской научной программой "Университеты России - фундаментальные исследования" (грант N 4103).