Вышедшие номера
Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si(100)-квантовых точек
Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.1,2,3, Птицын В.Э.1, Дубровский В.Г.2, Масалов С.А.2, Евтихиев В.П.2, Денисов Д.В.2, Устинов В.М.2, Werner P.3
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
Email: cirlin@beam.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение и атомно-силовой микроскопии исследованы морфологические особенности формирования квантовых точек в системе (Ge,Sb) / Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что в случае одновременного напыления Ge и Sb происходит увеличение плотности и однородности наноостровков по сравнению со случаем напыления чистого Ge. Закономерности образования островков обсуждаются с точки зрения теории формирования островков в системах, рассогласованных по параметру решетки. Проведено исследование полевых эмиссионных свойств полученных объектов с помощью сканирующего электронного микроскопа. Оценка приведенной яркости для (Ge,Sb) / Si-наноструктур дает величину B~ 105 A/(cm2·sr·V), что на порядок превышает значение этой величины для Шоттки-катодов. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Министерства науки и образования, Российской академии наук, а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374). Г.Э. Цырлин выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung, А.А. Тонких благодарит фонд DFG.
  1. Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ 46, 63 (2004)
  2. N.D. Zakharov, V.G. Talalaev, P. Werner, A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett. 83, 3084 (2003)
  3. V.N Tondare, B.I. Birajdar, N. Pradeep, D.S. Joag, A. Lobo, S.K. Kulkarni. Appl. Phys. Lett. 77, 2394 (2000)
  4. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000)
  5. Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н. Петров, Н.Н. Леденцов. ФТП 31, 1230 (1997)
  6. I. Berbezier, A. Ronda, A. Portavoce, N. Motta. Appl. Phys. Lett. 83, 4833 (2003)
  7. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner. ФТП, 38, 1239 (2004)
  8. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 68, 075 409 (2003)
  9. C.S. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett. 72, 2541 (1998)
  10. D. Temple. Mater. Sci. Eng. R 24, 183 (1999)
  11. А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. Наука, М. (1990). 320 с
  12. Р. Фишер, Х. Нойман. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. Наука, М. (1971). 215 с
  13. В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов, Наук. думка, Киев (1981). 184 с
  14. M.J. Fransen, M.H.F. Overwijk, P. Kruit. Appl. Surf. Sci. 146, 357 (1999)
  15. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Stat. Sol. (a) 198, R 4 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.