ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства

Н.А.Соболев, Д.В.Денисов, А.М.Емельянов, Е.И.Шек, Е.О.Паршин*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт микроэлектроники и автоматики Российской академии наук,
150007 Ярославль, Россия
E-mail: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru

Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоев Si : Er. Для сравнения исследовались люминесцентные свойства слоев Si, имплантированных ионами Er и O. Температурное гашение интенсивности фотолюминесценции Er-содержащих центров в МЛЭ- и имплантационных слоях хорошо описывается одинаковыми функциональными зависимостями с равными значениями энергий активации, но с различающимися более чем на два порядка коэффициентами перед экспоненциальными членами. Показано, что интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ может быть увеличена путем дополнительной имплантации ионов эрбия и кислорода в МЛЭ-светоизлучающие диодные структуры и последующего отжига. При этом Er-содержащие центры продолжают оставаться доминирующими в спектре люминесценции.

Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

 PDF версия (144Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster