Вышедшие номера
Люминесценция ионов эрбия в слоях кремниевых нанокристаллов в матрице диоксида кремния при сильном оптическом возбуждении
Тимошенко В.Ю.1, Шалыгина О.А.1, Лисаченко М.Г.1, Жигунов Д.М.1, Тетеруков С.А.1, Кашкаров П.К.1, Kovalev D.2, Zacharias M.3, Imakita K.4, Fujii M.4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Munich Technical University, Physics Department E16, Garching, Germany
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
4Kobe University, Department of EEE, 65 Kobe, Japan
Email: vtim@vega.phys.msu.su
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследованы спектры и кинетика фотолюминесценции (ФЛ) легированных эрбием слоев кремниевых нанокристаллов в матрице диоксида кремния (nc-Si/SiO2). Обнаружено, что оптическое возбуждение nc-Si может с высокой эффективностью передаваться расположенным в окружающем оксиде ионами Er3+. Эффективность передачи энергии увеличивается с ростом энергии квантов и интенсивности накачки. Показано, что процесс возбуждения ионов Er3+ успешно конкурирует с безызлучательной рекомбинацией в структурах nc-Si/SiO2. Обнаружено уменьшение времени жизни Er3+ ФЛ при интенсивной оптической накачке, что указывает на достижение инверсной населенности в системе ионов Er3+. Полученные результаты свидетельствуют об исключительной перспективности легированных эрбием структур nc-Si/SiO2 как активных сред для оптических усилителей и светоизлучающих устройств, работающих на длине волны 1.5 mum. Работа финансировалась по проектам Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-17259 и 03-02-16647), CRDF (N RE2-2369), INTAS (N 03-51-6486) и выполнялась в ЦКП МГУ.
  1. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Rare Earth Doped Semiconductors. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. MRS, Pittsburgh (1993). V. 301
  2. K. Iga, S. Kinoshita. Progress Technology for Semiconductors Lasers. Springer Ser. Mater. Sci. Springer-Verlag, Berlin (1996). V. 30
  3. F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, D. Carey. J. Appl. Phys. 78, 6, 3874 (1995)
  4. W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O. Guseva, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B 56, 15, 9545 (1997)
  5. E.A. Konstantinova, B.V. Kamenev, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov. J. Non-Cryst. Sol. 282, 2--3, 321 (2001)
  6. B.V. Kamenev, V.Yu. Timoshenko, E.A. Konstantinova, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, P.K. Kashkarov. J. Non-Cryst. Sol. 299-302, 668 (2002)
  7. B.V. Kamenev, V.I. Emel'yanov, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, C. Chao, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov. Appl. Phys. B 74, 2, 151 (2002)
  8. A.J. Kenyon, C.E. Chryssou, C.W. Pitt, T. Shimizu-Iwayama, D.E. Hole, N. Sharma, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys. 91, 1, 367 (2002)
  9. K. Watanabe, M. Fujii, S. Hayashi. J. Appl. Phys. 90, 9, 4761 (2001)
  10. M. Schmidt, M. Zacharias, S. Richter, P. Fisher, P. Veit, J. Blasing, B. Breeger. Thin Solid Films 397, 211 (2001)
  11. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Shcholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Blasing. Phys. Lett. 80, 4, 661 (2002)
  12. D.J. Lokwood, Z.H. Liu, J.M. Baribeau. Phys. Rev. Lett. 76, 3, 539 (1996)
  13. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys. 82, 3, 909 (1997)
  14. П.К. Кашкаров, М.Г. Лисаченко, О.А. Шалыгина, В.Ю. Тимошенко, Б.В. Каменев, M. Schmidt, J. Heitmann, M. Zacharias. ЖЭТФ 124, 6, 1255 (2003)
  15. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B 62, 24, 16 820 (2000)
  16. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. MRS Bull. 23, 4, 25 (1998)
  17. V.Yu. Timoshenko, M.G. Lisachenko, O.A. Shalygina, P.K. Kashkarov, J. Heitmann, M. Schmidt, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett. 84, 14, 2512 (2004)
  18. D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, L. Dal Negr. Phys. Rev. B 67, 245 301 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.