Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. В процессе эпитаксии на подложках, изготовленных из выращенного методом Чохральского кремния, происходит легирование растущего слоя примесями кислорода и углерода. Это позволяет упростить процесс легирования слоя Si : Er примесями-активаторами люминесценции, исключив встраивание в ростовую камеру специального капилляра для введения их из газовой фазы. В фотолюминесцентных спектрах всех исследуемых слоев при 78 K доминирует Er-содержащий центр с длиной волны в максимуме излучения 1.542 mum. Зависимости интенсивности этой линии в исследуемых интервалах температур подложки (400-700^oC) и источника примеси эрбия (740-800^oC) представляют собой кривые с максимумами. Наблюдавшиеся в спектрах ФЛ линии краевой люминесценции и P-линия главным образом возбуждаются в подложке. Измеренная методом обратного резерфордовского рассеяния протонов концентрация атомов эрбия в выращенных при температуре подложки 600^oC эпитаксиальных слоях характеризуется экспоненциальной зависимостью от температуры источника эрбия с энергией активации ~ 2.2 eV. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы "Новые материалы и структуры".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.