ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Ba0.85Sr0.15TiO3 на кремниевой основе

Э.Н.Мясников, С.В.Толстоусов, К.Ю.Фроленков *

Ростовский государственный педагогический университет,
344082 Ростов-на-Дону, Россия
* Орловский государственный технический университет,
302020 Орел, Россия
E-mail: mastrozin@mail.ru, Lara@ostu.ru

(Поступила в Редакцию 24 февраля 2004 г.
В окончательной редакции 13 мая 2004 г.)

Получены и исследованы сегнетоэлектрические пленки Ba0.85Sr0.15TiO3, нанесенные на диски из монокристаллического кремния. Рентгенографические и электронно-микроскопические исследования показали, что изучаемые пленки характеризуются ограниченной текстурой со структурой перовскита. Продемонстрирована возможность использования полученных пленок в качестве регистрирующих сред энергонезависимых перезаписываемых носителей информации внешних запоминающих устройств кинематического типа. Рассмотрен возможный механизм процессов записи и хранения информации в изученных структурах.

Работа выполнена при финансовой поддержке Орловского филиала Института проблем информатики РАН.

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster