| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках BaSrTiO на кремниевой основе
Э.Н.Мясников, С.В.Толстоусов, К.Ю.Фроленков
Ростовский государственный педагогический университет,
344082 Ростов-на-Дону, Россия
Орловский государственный технический университет,
302020 Орел, Россия
E-mail: mastrozin@mail.ru, Lara@ostu.ru
(Поступила в Редакцию 24 февраля 2004 г.
В окончательной редакции 13 мая 2004 г.)
|
Получены и исследованы сегнетоэлектрические пленки BaSrTiO, нанесенные на диски из монокристаллического кремния. Рентгенографические и электронно-микроскопические исследования показали, что изучаемые пленки характеризуются ограниченной текстурой со структурой перовскита. Продемонстрирована возможность использования полученных пленок в качестве регистрирующих сред энергонезависимых перезаписываемых носителей информации внешних запоминающих устройств кинематического типа. Рассмотрен возможный механизм процессов записи и хранения информации в изученных структурах. Работа выполнена при финансовой поддержке Орловского филиала Института проблем информатики РАН.
|
| PDF версия (282Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |