Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Ba0.85Sr0.15TiO3 на кремниевой основе
Мясников Э.Н.1, Толстоусов С.В.1, Фроленков К.Ю.2
1Ростовский государственный педагогический университет, Ростов-на-Дону, Россия
2Орловский государственный технический университет, Орел, Россия
Email: mastrozin@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Получены и исследованы сегнетоэлектрические пленки Ba0.85Sr0.15TiO3, нанесенные на диски из монокристаллического кремния. Рентгенографические и электронно-микроскопические исследования показали, что изучаемые пленки характеризуются ограниченной текстурой со структурой перовскита. Продемонстрирована возможность использования полученных пленок в качестве регистрирующих сред энергонезависимых перезаписываемых носителей информации внешних запоминающих устройств кинематического типа. Рассмотрен возможный механизм процессов записи и хранения информации в изученных структурах. Работа выполнена при финансовой поддержке Орловского филиала Института проблем информатики РАН.
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 734 с
- Дж Барфут, Дж. Тейлор. Полярные диэлектрики. Мир, М. (1981). 526 с
- А.С. Сигов. Сорос. образоват. журн. 10, 83 (1996)
- И.Л. Багинский, Э.Г. Косцов. Автометрия 4, 88 (1988)
- К.Ю. Фроленков, С.Г. Ким. Автометрия 4, 22 (1994)
- Н.В. Преснецов, К.Ю. Фроленков. Электрон. пром-сть 4, 29 (2000)
- Ю.Я. Томашпольский. Пленочные сегнетоэлектрики. Радио и связь, М. (1984). 192 с
- S.V. Tolstousov. Ferroelectrics 100, 151 (1989)
- Ho Hyung Lee, D. Hesse, N. Zakharov. Science 296, 5575, 2006 (2002)
- R. Ramesh, D.G. Schlom. Science 296, 5575, 1975 (2002)
- R. Krause. Electronic Mews 40, 2013, 4 (1994)
- В.П. Дудкевич, Е.Г. Фесенко. Физика сегнетоэлектрических пленок. Изд-во Рост. ун-та, Ростов н/Д (1979). 192 с
- Г.Б. Бокий, М.А. Порай-Кошиц. Рентгеноструктурный анализ. Изд-во МГУ, М. (1964). 489 с
- Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Сов. радио, М. (1977). Т. 2. 768 с
- Ю.А. Багряцкий. Рентгенография в физическом металловедении. Металлургиздат, М. (1961). 368 с
- Г.В. Курдюмов, Л.И. Лысак. ЖТФ 17, 9, 993 (1947)
- Б.Н, Васичев. Электронная микроскопия. Знание, М. (1980). 64 с
- Ю.Г. Полтавцев, А.С. Князев. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. Техника, Киев (1990). 207 с
- О.С. Моряков. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Элионная обработка. Высш. шк., М. (1990). Кн. 7. 128 с
- Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник / Под ред. А.В. Ржанова. Наука, М. (1976). 280 с
- K. Sugibuchi, J. Kurogi, H. Endo. J. Appl. Phys. 46, 7, 2877 (1975)
- W.J. Merz. Phys. Rev. 95. 3, 690 (1954)
- А.А. Бабад-Захряпин. Дефекты покрытий. Энергоатомиздат, М. (1987). 152 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук