Приводятся результаты измерений и анализа температурно-частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь, удельного электрического сопротивления сегнетоэлектрических кристаллов Pb$$₅Ge$$₃O$$₁₁ в области $100-600$ K и $0.1-100$ kHz. Диэлектрические характеристики кристаллов помимо выраженных аномалий в области точки Кюри $T$_c=450 K проявляют менее выраженные аномалии релаксационного характера в области $230-260$ K. На основе полученных данных о влиянии на низкотемпературные аномалии различных факторов (степени поляризации кристаллов, их обжига при разных температурах в различных средах и др.) обсуждаются возможные механизмы их возникновения. Делается заключение, что причиной появления низкотемпературных диэлектрических аномалий являются процессы термолокализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне с образованием локальных поляризованных состояний.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).