Издателям
Вышедшие номера
Влияние примесных центров Cr на критические свойства слабополярного сегнетоэлектрика LGO
Трубицын М.П.1, Волнянский М.Д.1, Кудзин А.Ю.1
1Днепропетровский национальный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 29 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

ЭПР спектры ионов Cr3+ изучены в температурном интервале сегнетоэлектрического фазового перехода кристаллов Li2Ge7O15 (LGO). Путем измерения величины расщепления ЭПР линий в полярной фазе исследовано температурное поведение локального параметра порядка. В интервале температур от TC до (TC-T)~ 40 K экспериментальная величина критического показателя параметра порядка beta=0.31 соответствует индексу трехмерной модели Изинга. Анализ имеющихся результатов показывает, что для макроскопических и локальных свойств LGO при удалении от TC характерен переход от флуктуационного режима к классическому поведению по теории среднего поля. Для температурной зависимости локального параметра порядка в LGO : Cr перехода от изинговского режима (beta=0.31) к классическому (beta=0.5) не наблюдается. Отсутствие перехода к классическому поведению объясняется дефектной природой примесных центров Cr3+, которые ослабляют пространственные корреляции в кристаллической матрице LGO. Особенности критических свойств LGO : Cr3+ обсуждаются на основании микроскопической модели структурных фазовых переходов.
  • H. Volenkle, F. Wittman, H. Nowotny. Monatsh. Chem. 101, 46 (1970)
  • S. Haussuhl, F. Wallrafen, K. Recker, J. Eckstein. Z. Kristallogr. 153, 329 (1980)
  • M. Wada, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jap. 50, 6, 1811 (1981)
  • H. Terauchi, S. Iida, Y. Nishihata, M. Wada, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jap. 52, 7, 2312 (1983)
  • Y. Iwata, N. Koyana, I. Shibuya. Ann. Rep. Res. React. Inst. Kyoto Univ. 19, 11 (1986)
  • Y. Iwata, I. Shibuya, M. Wada, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jap. 56, 7, 2420 (1987)
  • H. Orihara, M. Wada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jap. 52, 4, 1478 (1983)
  • A. Volkov, G. Kozlov, Yu. Goncharov, M. Wada, A. Sawada, Y. Ishibashi. J. Phys. Soc. Jap. 54, 2, 818 (1985)
  • M. Horioka, A. Sawada, M. Wada. J. Phys. Soc. Jap. 58, 10, 3793 (1989)
  • М.П. Трубицын, М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин. Кристаллография 36, 6, 1472 (1991)
  • М.П. Трубицын. ФТТ 40, 1, 114 (1998)
  • М.П. Трубицын, М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин, Т.Л. Кузьменко. ФТТ 40, 1, 111 (1998)
  • А.А. Галеев, Н.М. Хасанова, А.В. Быков, В.М. Винокуров, Н.М. Низамутдинов, Г.Р. Булка. В сб.: Спектроскопия, кристаллохимия и реальная структура минералов и их аналогов. Казанский ун-т, Казань (1990). С. 77
  • М.П. Трубицын, М.Д. Волнянский, И.А. Бусоул. ФТТ 40, 6, 1102 (1998)
  • С.А. Басун, А.А. Каплянский, С.П. Феофилов. ФТТ 34, 11, 3377 (1992)
  • С.А. Басун, А.А. Каплянский, С.П. Феофилов. ФТТ 36, 11, 3429 (1994)
  • М.Д. Волнянский, А.Ю. Кудзин. ФТТ 33, 7, 2228 (1991)
  • М.Д. Волнянский. Автореф. докт. дис. ДГУ, Днепропетровск (1993)
  • K.A. Muller, J.C. Fayet. In: Structural Phase Transitions II / Ed. by K.A. Muller \& H. Thomas. Springer--Verlag, Berlin--N.Y. (1991). Vol. 45. P. 1
  • А. Абрагам, Б. Блини. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. Мир, М. (1972). Т. 1. 651 с
  • М.Л. Мейльман, М.И. Самойлович. Введение в спектроскопию ЭПР активированных монокристаллов. Атомиздат, М. (1977). 272 с
  • А.К. Таганцев. Письма в ЖЭТФ 45, 7, 352 (1987)
  • Б.А. Струков, М.Ю. Кожевников, Е.Л. Соркин, М.Д. Волнянский. ФТТ 32, 9, 2823 (1990)
  • Б.А. Струков, М.Ю. Кожевников, М.Д. Волнянский, Х.А. Низомов. Кристаллография 36, 4, 942 (1991)
  • А. Брус, Р. Каули. Структурные фазовые переходы. Мир, М. (1984). 408 с
  • Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1983). 240 с
  • А.Ю. Кудзин, М.Д. Волнянский, М.П. Трубицын, И.А. Бусоул. ФТТ 40, 9, 1698 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.