Издателям
Вышедшие номера
Низкочастотные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических кристаллах Pb5Ge3O11
Буш А.А.1, Каменцев К.Е.1, Провоторов М.В.2, Трушкова Т.Н.2
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
2Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, Россия
Email: abush@ranet.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Приводятся результаты измерений и анализа температурно-частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь, удельного электрического сопротивления сегнетоэлектрических кристаллов Pb5Ge3O11 в области 100-600 K и 0.1-100 kHz. Диэлектрические характеристики кристаллов помимо выраженных аномалий в области точки Кюри Tc=450 K проявляют менее выраженные аномалии релаксационного характера в области 230-260 K. На основе полученных данных о влиянии на низкотемпературные аномалии различных факторов (степени поляризации кристаллов, их обжига при разных температурах в различных средах и др.) обсуждаются возможные механизмы их возникновения. Делается заключение, что причиной появления низкотемпературных диэлектрических аномалий являются процессы термолокализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне с образованием локальных поляризованных состояний. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).
  • H. Iwasaki, K. Sugii, T. Yamada, N. Niizeki. Appl. Phys. Lett. 18, 10, 444 (1971)
  • S. Nanamatsu, H. Sugiyama, K. Doi, Y. Kondo. J. Phys. Soc. Japan 31, 2, 616 (1971)
  • H. Iwasaki, S. Miyazawa, H. Kiyomada, K. Sugii, N. Niizeki. J. Appl. Phys. 43, 12, 4907 (1972)
  • А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Монокристаллы с сегнетоэлектрическими и родственными свойствами в системе PbO--GeO-=SUB=-2-=/SUB=- и возможные области их применения. НИИТЭХИМ, М. (1981). 70 с
  • C.R. Jones, N. Show, A.W. Vere. Electronics Lett. 8, 14, 346 (1972)
  • R. Watton, C. Smith, G.R. Jones. Ferroelectrics 14, 1--4, 719 (1976)
  • T. Li, S.T. Hsu. Integrated ferroelectrics 34, 1--4, 1495 (2001)
  • S. Mendricks, X. Yue, R. Pankrath, H. Hesse, D. Kip. Appl. Phys.: Lasers and Optics 68, 5, 887 (1999)
  • В.В. Демьянов, В.Д. Сальников. ФТТ 16, 12, 3623 (1974)
  • Е.В. Синяков, Е.Ф. Дудник, В.Г. Моня, В.Г. Савченко, Л.Я. Садовская. Изв. АН СССР. Сер. Физ. 39, 5, 1025 (1975)
  • L.E. Cross, T.W. Cline. Ferroelectrics 11, 1--4, 333 (1976)
  • M. Polomska, M. Malinowski, H.H. Otto. Phys. Stat. Sol. 56a, 335 (1979)
  • A. Mansingh, K.N. Srivastava, B. Singh. J. Appl. Phys. 50, 6, 4319 (1979)
  • Y. Goto. J. Phys. Soc. Japan 50, 4, 1241 (1981)
  • J.-H. Kim, J.-B. Kim, K.-S. Lee, B.-C. Choi, J.-N. Kim. Solid State Commun. 86, 4, 257 (1993)
  • А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Кристаллография 26, 2, 349 (1981)
  • Т.В. Панченко, М.Д. Волнянский, В.Г. Моня, В.М. Дуда. ФТТ 19, 8, 1238 (1977)
  • Г. Фрелих. Физика диэлектриков. ИЛ, М. (1960). 251 с
  • V.V. Daniel. Dielectric Relaxation. Academic Press, London--N.Y. (1967). 269 p
  • А.А. Буш, Е.А. Попова. ФТТ 46, 5, 875 (2004)
  • H.J. Reyher, M. Pape, N. Hausfeld. J. Phys.: Condens. Matter. 13, 16, 3767 (2001)
  • U.T. Hochli, K. Knorr, A. Loidl. Adv. Phys. 39, 5, 405 (1990)
  • В.Т. Габриэлян, П.В. Ионов, К.А. Михайлива, О.А. Арикалов. Кристаллография 19, 1, 176 (1974)
  • В.В. Михневич, А.В. Микуленок, А.В. Мясоедов. ФТТ 27, 3, 932 (1985)
  • Р.Ф. Мамин. Письма в ЖЭТФ 58, 7, 534 (1993)
  • Р.Ф. Мамин. ФТТ 43, 7, 1262 (2001)
  • Р.Ф. Мамин. Изв. АН. Сер. Физ. 67, 8, 1157 (2003)
  • Y.N. Huang, Y.N. Wang, H.M. Shen. Phys. Rev. 46B, 6, 3290 (1992)
  • В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 с
  • X. Yue, S. Mendricks, Y. Hu, H. Hesse, D. Kip. J. Appl. Phys. 83, 7, 3473 (1998)
  • X. Yue, S. Mendricks, T. Nikolajsen, H. Hesse, D. Kip, E. Kratzig. J. Appl. Phys. 87, 3, 1186 (1999)
  • В.Я. Шур, Ю.А. Попов, Н.В. Коровина. ФТТ 26, 3, 781 (1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.