ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование наноостровков и нанопроволок Ge
на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111)
до образования смачивающего слоя

С.А.Тийс, А.Б.Талочкин, К.Н.Романюк, Б.З.Ольшанецкий

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
E-mail: teys@isp.nsc.ru

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследовался рост наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111). Возможность реализации островкового или многослойного механизма роста на этапе формирования смачивающего слоя Ge на Si (111) при потоках Ge около 10-3 BL/min и температурах эпитаксии 350-500oC позволил получить массивы островков высотой в 3 BL с плотностью 109-1012 cm-2. На вицинальных поверхностях Si (111) наблюдался рост нанопроволок Ge постоянной высоты с шириной, зависящей от величины покрытия Ge. Коэффициенты поверхностной диффузии адатомов Ge на поверхности Ge со структурой (5x 5) в несколько раз больше коэффициентов диффузии на поверхности со структурой (7x 7). В спектрах комбинационного рассеяния света на оптических фононах от поверхности с островками высотой в 3 BL наблюдалась серия линий, связанных с квантованием фононного спектра в направлении роста [111].

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16844-a и 03-02-16506-a), Министерством промышленности, науки и технологий (госконтракт N 40.012.1.1.1153).

 PDF версия (1.5Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster