Издателям
Вышедшие номера
Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si
Никифоров А.И.1, Ульянов В.В.1, Пчеляков О.П.1, Тийс С.А.1, Гутаковский А.К.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nikif@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Приведены экспериментальные данные о процессе формирования самоорганизованных островков Ge на атомарно-чистой окисленной поверхности Si(100). В отличие от механизма роста Странского--Крастанова, который реализуется в случае роста Ge на чистой поверхности кремния, на окисленной поверхности кремния наблюдается механизм роста Фольмера--Вебера. Процесс роста сопровождается существенным изменением размера поверхностной ячейки решетки Ge относительно этого параметра для Si, достигающего 7%. Получаемые наноостровки при толщине пленки Ge до 5 монослоев имеют размеры в основании менее 10 nm с плотностью более 2·1012 cm-2. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506).
  • D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990)
  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Solid Films 336, 332 (1998)
  • J.J. Lander, L. Morrison. J. Appl. Phys. 33, 2098 (1962)
  • Y. Wei, M. Wallace, A.C. Seabaugh. J. Appl. Phys. 81, 6415 (1997)
  • A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B 62, 1540 (2000)
  • A. Barski, M. Derivaz, J.L. Rouviere, D. Buttard. Appl. Phys. Lett. 77, 3541 (2000)
  • A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Thin Solid Films 380, 158 (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.