Вышедшие номера
Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si
Никифоров А.И.1, Ульянов В.В.1, Пчеляков О.П.1, Тийс С.А.1, Гутаковский А.К.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nikif@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Приведены экспериментальные данные о процессе формирования самоорганизованных островков Ge на атомарно-чистой окисленной поверхности Si(100). В отличие от механизма роста Странского--Крастанова, который реализуется в случае роста Ge на чистой поверхности кремния, на окисленной поверхности кремния наблюдается механизм роста Фольмера--Вебера. Процесс роста сопровождается существенным изменением размера поверхностной ячейки решетки Ge относительно этого параметра для Si, достигающего 7%. Получаемые наноостровки при толщине пленки Ge до 5 монослоев имеют размеры в основании менее 10 nm с плотностью более 2·1012 cm-2. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506).
  1. D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990)
  2. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Solid Films 336, 332 (1998)
  3. J.J. Lander, L. Morrison. J. Appl. Phys. 33, 2098 (1962)
  4. Y. Wei, M. Wallace, A.C. Seabaugh. J. Appl. Phys. 81, 6415 (1997)
  5. A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B 62, 1540 (2000)
  6. A. Barski, M. Derivaz, J.L. Rouviere, D. Buttard. Appl. Phys. Lett. 77, 3541 (2000)
  7. A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Thin Solid Films 380, 158 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.