Издателям
Вышедшие номера
Формирование наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111) до образования смачивающего слоя
Тийс С.А.1, Талочкин А.Б.1, Романюк К.Н.1, Ольшанецкий Б.З.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: teys@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследовался рост наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111). Возможность реализации островкового или многослойного механизма роста на этапе формирования смачивающего слоя Ge на Si (111) при потоках Ge около 10-3 BL/min и температурах эпитаксии 350-500oC позволил получить массивы островков высотой в 3 BL с плотностью 109-1012 cm-2. На вицинальных поверхностях Si (111) наблюдался рост нанопроволок Ge постоянной высоты с шириной, зависящей от величины покрытия Ge. Коэффициенты поверхностной диффузии адатомов Ge на поверхности Ge со структурой (5x 5) в несколько раз больше коэффициентов диффузии на поверхности со структурой (7x 7). В спектрах комбинационного рассеяния света на оптических фононах от поверхности с островками высотой в 3 BL наблюдалась серия линий, связанных с квантованием фононного спектра в направлении роста [111]. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16844-a и 03-02-16506-a), Министерством промышленности, науки и технологий (госконтракт N 40.012.1.1.1153).
  • V.A. Markov, H.H. Cheng, ChiH-ta Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. McGlynn, M.O. Henry. Thin Solid Films 369, 79 (2000)
  • O.P. Pchelyakov, Yu.B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlander. Thin Solid Films 367, 75 (2000)
  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 11, 1281 (2000)
  • K. Brunner. Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002)
  • U. Koehler, J.E. Demuth, R.J. Hamers. J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2860 (1989)
  • U. Koehler, O. Jusko, G. Pietsch, B. Muller, M. Henzler. Surf. Sci. 248, 321 (1991)
  • B. Voigtlaender, A. Zinner. Surf. Sci. 351, L233 (1996)
  • N. Motta, A. Sgarlata, R. Calarco, Q. Nguyen, J. Castro Cal, F. Patella, Balzarotti, M. De Crescenzi. Surf. Sci. 406, 254 (1998)
  • S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 37 (2002)
  • J. Tersoff, van der Gon A.W. Denier, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett. 72, 2, 266 (1994)
  • Y.P. Zhang, L. Yan, S.S. Xie, S.J. Pang, H.-J. Gao. Surf. Sci. 498, L60 (2002)
  • B. Voigtlaender. Surf. Sci. Reports 43, 127 (2001)
  • J. Wei, X. S. Wang, J.L. Goldberg et al. Phys. Rev. Lett. 68, 3885 (1992)
  • A.B. Talochkin, S.A. Teys. JETP Lett. 75, 6, 264 (2002)
  • И.И. Новак, В.В. Баптизманский, Л.В. Жога. Оптика и спектроскопия 43, 252 (1977)
  • F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B 5, 580 (1972)
  • W. Weber. Phys. Rev. B 15, 4789 (1977)
  • А.Б. Талочкин, В.А. Марков, А.И. Никифоров, С.А. Тийс. Письма в ЖЭТФ 70, 279 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.