ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике

В.А.Егоров *,**,****, Г.Э.Цырлин *,**,****, А.А.Тонких *,**,****, В.Г.Талалаев ***,****, А.Г.Макаров **,
Н.Н.Леденцов **, В.М.Устинов **, N.D.Zakharov ****, P.Werner ****

* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: cirlin@beam.ioffe.rssi.ru
[0.5mm] ** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
*** Санкт-Петербургский государственный университет,
198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
**** Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
D-06120 Halle (Saale), Germany
[0.5mm] E-mail: egorov\_v@mail.ru

Исследованы оптические и структурные свойства многослойных Si/Ge структур с докритическими, а также близкими к критическим включениями германия в кремниевую матрицу, при которых происходит переход от двумерного к островковому росту. Показана возможность получения интенсивной фотолюминесценции при комнатной температуре в обоих случаях при оптимально подобранных ростовых параметрах. Предлагаемые подходы создания активной области являются перспективными для оптоэлектронных применений на основе кремния.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ. Один из авторов (Г.Э.Ц.) выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung.

 PDF версия (1.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster