Вышедшие номера
Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике
Егоров В.А.1,2,3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.1,2,3, Талалаев В.Г.4,3, Макаров А.Г.2, Леденцов Н.Н.2, Устинов В.М.2, Zakharov N.D., Werner P.
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: cirlin@beam.ioffe.rssi.ru; egorov_v@mail.ru, egorov_v@mail.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы оптические и структурные свойства многослойных Si/Ge структур с докритическими, а также близкими к критическим включениями германия в кремниевую матрицу, при которых происходит переход от двумерного к островковому росту. Показана возможность получения интенсивной фотолюминесценции при комнатной температуре в обоих случаях при оптимально подобранных ростовых параметрах. Предлагаемые подходы создания активной области являются перспективными для оптоэлектронных применений на основе кремния. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ. Один из авторов (Г.Э.Ц.) выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung.
  1. S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morko, H. Zabel, C. Choi, N. Otsuka. J. Appl. Phys. 68, R31 (1990)
  2. N.N. Ledentsov. In: Proc. of the 23rd Internat. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann. World Scientific, Singapoure (1996). Vol. 1. P. 19
  3. N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, R. Heitz, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, N.K. Polyakov, V.N. Petrov, V.A. Egorov, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett. 76, 2677 (2000)
  4. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996)
  5. L. Colace, G. Masini, G. Asanto, H.C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett. 76, 1231 (2000)
  6. Г.Э. Цырлин, П. Вернер, У. Гёзеле, Б.В. Воловик, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма в ЖТФ 27, 1, 31 (2001)
  7. G.E. Cirlin, V.A. Egorov, B.V. Volovik, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele. Nanotechnology 12, 417 (2001)
  8. N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, G. Gerth, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, B.V. Volovik. Mater. Sci. Eng. B 87, 92 (2001)
  9. S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kayander, E.Yu. Kondrat'eva, D.A. Livshitz, I.S. Tarasov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semiconductors 34, 119 (2000)
  10. А.Г. Макаров, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, В.М. Устинов, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП 37, 2, 219 (2003)
  11. J. Wang, G.L. Jin, Z.M. Jiang, Y.H. Luo, J.L. Liu, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett. 78, 1763 (2001)
  12. G.E. Cirlin, V.N. Petrov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.G. Dubrovskii, G.M. Guryanov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Surf. Sci. 377-379, 895 (1997)
  13. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. ФТП 35, 9, 1143 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.