Издателям
Вышедшие номера
Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях
Двуреченский А.В.1, Якимов А.И.1, Ненашев А.В.1, Зиновьева А.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: dvurech@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Обнаружено расщепление линий оптических переходов экситонных состояний на два пика в системе Ge/Si с квантовыми точками при наложении электрического поля. При увеличении напряженности поля один из пиков смещается в область больших энергий оптических переходов (синее смещение), другой --- в область меньших энергий (красное смещение). Результаты объясняются на основе представления об образовании диполей электрон-дырка двух типов, различающихся направлением дипольного момента и возникающих за счет локализации одного электрона в области вершины Ge пирамиды, а другого электрона --- под основанием пирамиды. На основе метода сильной связи определены главные значения g-фактора дырочных состояний в квантовых точках Ge/Si. Показано, что g-фактор является сильно анизотропным, анизотропия ослабевает при уменьшении размера квантовых точек. Физические основы зависимости g-фактора от размеров квантовой точки заключаются в изменении вкладов в полную волновую функцию состояний с различными проекциями угловых моментов при вариации размеров. Расчеты показывают, что с уменьшением размера квантовых точек уменьшается вклад состояний тяжелых дырок с проекцией углового момента ± 3/2 и возрастает вклад состояний легких дырок и состояний спин-отщепленной зоны с проекцией углового момента ± 1/2. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16020, 03-02-16526), программы "Университеты России" (грант N УР.01.01.019) и INTAS (грант N 2001-0615).
  • J.A. Barker, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B 61, 13 840 (2000)
  • P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett. 84, 733 (2000)
  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Письма в ЖЭТФ 73, 10, 598 (2001)
  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, V.V. Ul'yanov, A.G. Milekhin, S. Schulze, D.R.T. Zahn. Phys. Rev. B 67, 12, 1253 (2003)
  • M. Bayer, V.B. Timofeev, T. Gutbrod, A. Forchel, R. Steffen, J. Oshinovo. Phys. Rev. B 52, R11 623 (1995)
  • В.К. Калевич, Б.П. Захарченя, О.М. Федорова. ФТТ 37, 283 (1995)
  • A.A. Kiselev, E.L. Ivchenko, U. Rossler. Phys. Rev. B 58, 16 353 (1998)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972)
  • А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, А.Ф. Зиновьева. ЖЭТФ 123, 2, 362 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.