ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование двумерных структур фотонных кристаллов в кремнии для ближнего ИК диапазона с использованием остросфокусированных ионных пучков

А.Ф.Вяткин, Е.Ю.Гаврилин, Ю.Б.Горбатов, В.В.Старков, В.В.Сироткин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: Vyatkin@ipmt-hpm.ac.ru

Одним из двух вариантов реализации двумерных фотонных кристаллов в кремнии являются упорядоченные структуры макропор в кремниевой подложке. Характерные размеры пор --- диаметр и толщина стенок между порами --- определяют диапазон длин волн, в котором такая структура проявляет свойства фотонного кристалла. Для ближнего ИК диапазона эти размеры приближаются к одному микрону и даже уходят в субмикронную область. В настоящей работе попытка формирования упорядоченной структуры макропор с такими размерами предпринята с использованием остросфокусированных ионных пучков для стимулирующего воздействия имплантированных ионов на процесс зарождения пор в заданных местах поверхности кремниевой подложки. Показано, что уже при малых дозах ионной имплантации (2x 1013 ion/cm2) происходит зарождение пор в местах ионного облучения. Предложена модель, описывающая ориентирующее влияние ионного облучения на зарождение пор.

 PDF версия (957Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster