ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние ионной имплантации P+, B+ и N+ на люминесцентные свойства системы SiO2 : nc-Si

Д.И.Тетельбаум, О.Н.Горшков, В.А.Бурдов, С.А.Трушин, А.Н.Михайлов, Д.М.Гапонова *,
С.В.Морозов *, А.И.Ковалев **

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
** Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии,
107005 Москва, Россия
E-mail: Tetelbaum@phys.unn.ru

Рассмотрены и систематизированы возможные механизмы влияния примесей пятой и третьей групп таблицы Менделеева на люминесцентные свойства системы нанокристаллов кремния в SiO2. Приведены экспериментальные данные по влиянию ионной имплантации бора и азота на интенсивность фотолюминесценции. Эти данные вместе с ранее опубликованными результатами изучения ионного легирования фосфором обсуждаются с точки зрения указанных механизмов. Приведены также результаты по определению состояния имплантированного фосфора, полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что усиление или ослабление фотолюминесценции зависит как от сорта легирующей примеси, так и от условий постимплантационной термообработки.

Работа выполнена при поддержке фонда INTAS (грант N 00-0064) и программы Минобразования РФ \glqq Научные исследования высшей школы в приоритетных направлениях науки и техники\grqq (подпрограмма 205).

 PDF версия (196Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster