ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Краевая электролюминесценция кремния: гетероструктура аморфный кремний--кристаллический кремний

М.С.Бреслер, О.Б.Гусев, Е.И.Теруков, A.Froitzheim *, W.Fuhs *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Hahn-Meitner-Institut, Abt. Silizium-Photovoltaik,
D-12489 Berlin, Germany

Краевая электролюминесценция (ЭЛ) кремния наблюдалась на гетероструктуре аморфный кремний--кристаллический кремний (a-Si : H(n)/c-Si(p)) в температурной области от 77 до 300 K. Внутренний квантовый выход ЭЛ при комнатной температуре для исследованной структуры составил около 0.1%. Теоретический анализ эмиссионных свойств гетероперехода a-Si : H(n)/c-Si(p), основанный на модели резкого планарного p-n-перехода, показал, что при оптимальном легировании внутренний квантовый выход ЭЛ может достигать нескольких процентов при частоте модуляции около 50 kHz.

Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований, Нидерландской организации научных исследований (NWO), Министерства науки и технологий Российской Федерации и программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq отделения физических наук РАН.

 PDF версия (162Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster