Издателям
Вышедшие номера
Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире
Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Шенгуров В.Г.1, Дроздов Ю.Н.1, Красильник З.Ф.1, Красильникова Л.В.1, Степихова М.В.1, Павлов Д.А.1, Павлова Т.В.1, Шиляев П.А.1, Хохлов А.Ф.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Приводятся первые результаты изучения эпитаксиального выращивания легированных эрбием слоев кремния на сапфировых подложках с использованием метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены данные структурного анализа, обсуждаются люминесцентные свойства слоев. Показано достаточно высокое совершенство гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных при температурах Ts=600-700oC. В фотолюминесцентном отклике структур обнаружен сигнал на длине волны 1.54 mum, связываемый с внутрицентровыми переходами редкоземельного иона Er3+. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и МНТП "Фундаментальная спектроскопия" (проект N 08.02.043).
  • D. Mead, J. Hine. Rep. Progr. Phys. 8, 3, 327 (1987)
  • Н.А. Соболев. ФТП 29, 1153 (1995)
  • В.С. Панков, М.Б. Цыбульников. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. Энергия, М. (1979)
  • E.D. Richmond, J.G. Pelligrino, M.E. Twigg et al. Thin Solid Films 192, 287 (1990)
  • С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ 4, 141 (2000)
  • W. Kuerner, R. Sauer, A. Doerner, K. Thonke. Phys. Rev. B 39, 18 13 327 (1989)
  • R. Sauer, J. Weber, J. Stolz. Appl. Phys. A 36, 1 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.