ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства гетероструктур с InAs нанокластерами в Si матрице

Д.В.Денисов *, И.Т.Серенков *, В.И.Сахаров *, Г.Э.Цырлин *,**, В.М.Устинов *

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
** Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: denisov@beam.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 18 марта 2003 г.)

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, рассеяния ионов средних энергий и сканирующей электронной микроскопии исследованы процессы формирования гетероэпитаксиальных структур с InAs-нанокластерами в Si-матрице при молекулярно-пучковой эпитаксии, а также изменение параметров таких структур при термическом отжиге. Показано, что в определенном температурном диапазоне при осаждении InAs на Si(100)-поверхности происходит формирование четырехгранных нанопирамид с {111}-ориентацией боковых граней. Установлена возможность последующего эпитаксиального заращивания InAs-наноостровков кремнием с постепенным сглаживанием трехмерного рельефа. Определено, что при отжиге в вакууме структуры Si\backslashInAs\backslashSi(100) являются стабильными при температурах до 700oC.

Настоящая работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ и Российского фонда фундаментальных исследований.

 PDF версия (1.2Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster