Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства гетероструктур с InAs нанокластерами в Si матрице
Денисов Д.В.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Цырлин Г.Э.1,2, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: denisov@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, рассеяния ионов средних энергий и сканирующей электронной микроскопии исследованы процессы формирования гетероэпитаксиальных структур с InAs-нанокластерами в Si-матрице при молекулярно-пучковой эпитаксии, а также изменение параметров таких структур при термическом отжиге. Показано, что в определенном температурном диапазоне при осаждении InAs на Si(100)-поверхности происходит формирование четырехгранных нанопирамид с 111-ориентацией боковых граней. Установлена возможность последующего эпитаксиального заращивания InAs-наноостровков кремнием с постепенным сглаживанием трехмерного рельефа. Определено, что при отжиге в вакууме структуры Si(100) являются стабильными при температурах до 700oC. Настоящая работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ и Российского фонда фундаментальных исследований.
  • N.N. Ledentsov. Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors / Ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann. Berlin (1996). World Scientific, Singapoure (1996). Vol. 1. P. 19
  • Г.Э. Цырлин, В.Н.Петров, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Н.И. Комяк, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма в ЖТФ 24, 8, 10 (1998)
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B 54, 8743 (1996)
  • G.E. Cirlin, V.G. Talalaev, N.D. Zakharov, V.A. Egorov, P. Werner. Phys. Stat. Solid B232, R1--R3 (2002)
  • S.N. Newstead, R.A.A. Kubiak, E.H.C. Parker. J. Cryst. Growth 81, 49 (1987)
  • П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП 22, 10 1729 (1988)
  • W.-X. Ni, W.M. Chen, I.A. Buyanjva, A. Henry, G.V. Hansson, B. Monemar. J. Cryst. Growth 157, 242 (1995)
  • C. Sasaoka, Y. Kato, A. Usui. Appl. Phys. Lett. 62, 2338 (1993)
  • В.В. Афросимов, Г.О. Дзюба, Р.Н. Ильин, М.В. Панов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.А. Ганза. ЖТФ 66, 12, 76 (1996)
  • G.D. Wilk, Yi Wei, Hal Edwards, R.M. Wallace. Appl. Phys. Lett. 70, 2288 (1997)
  • E. Kasper, M. Bauer, M. Oehme. Thin Solid Films 321, 148 (1998)
  • A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 666, 133 (1986)
  • T. Mano, H. Fujioka, K. Ono, Y. Watanabe, M. Oshima. Appl. Surf. Sci. 130--132, 760 (1998)
  • R.I.G. Uhrberg, R.D. Bringans, R.Z. Bachrach, J.E. Northrup. Phys. Rev. Lett. 65, 520 (1986)
  • Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, С.А. Масалов, А.О. Голубок, Д.В. Денисов, Ю.А. Кудрявцев, Б.Я. Бер, В.М. Устинов. ФТП 33, 10, 1158 (1999)
  • A.K. Ott, S.M. Casey, S.R. Leone. Surf. Sci. 405, 228 (1998)
  • A.L. Alstrin, P.G. Strupp, S.R. Leone. Appl. Phys. Lett. 63, 815 (1993)
  • A.N. Alexeev, S.Yu. Karpov, M.A. Maiorov, V.E. Myachin, Yu.V. Pogorelsky, I.A. Sokolov. J. Cryst. Growth 166, 167 (1996)
  • В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, В.И. Сахаров, А.А. Семенов, И.Т. Серенков, Д.В. Яновский. ФТТ 41, 4, 588 (1999)
  • D.J. Oostra, R.V. Smilgys, S.R. Leone. Appl. Phys. Lett. 55, 1333 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.