Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала и алюминия

Ежовский Ю.К.¹, Клусевич А.И.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 января 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены экспериментальные результаты изучения процесса формирования и некоторых диэлектрических характеристик многослойных наноструктур, полученных на основе оксидов тантала и алюминия методом молекулярного наслаивания. Показано, что диэлектрическая проницаемость таких структур практически линейно зависит от состава композиции, а их проводимость - от соотношения толщин каждого слоя, причем при d_i,j<5 nm существенный вклад вносят туннельные явления.

Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет. Мир, М. (1981). 583 с
В.К. Громов. Введение в эллипсометрию. Изд-во ЛГУ, Л. (1986). 192 с
В.И. Нефедов, В.Т. Черепин. Физические методы исследования поверхности твердых тел. Наука, М. (1983). 296 с
В.И. Нефедов. Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений. Химия, М. (1984). 256 с
Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer Corporation Physical Electronics Division 6509 Flying Cloud Drive. Edom Prairie, Minnesota 55344 (1978). 456 p
С.И. Кольцов, Г.В. Свешникова, В.Б. Алесковский. ЖПХ 43, 5, 1150 (1970)
С.И. Кольцов, В.Е. Дрозд, Т.А. Редрова. ДАН СССР 235, 5, 1090 (1977)
В.Б. Алесковский. Вестн. АН СССР 6, 52 (1975)
В.Б. Алесковский, В.К. Адамчук, В.Е. Дрозд, В.И. Губайдулин, А.И. Романычев, А.В. Федоров. ДАН СССР 303, 6, 1390 (1988)
Ю.К. Ежовский, П.М. Вайнштейн. ЖФХ 71, 12, 2222 (1997)
Ю.К. Ежовский, П.М. Вайнштейн. ЖПХ 71, 2, 227 (1998)
Ю.К. Ежовский, Г.В. Аникеев, С.И. Кольцов. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 24, 619 (1988)
В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. Наука, М. (1979). 68 с
Н.Ф. Мотт. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 658 с
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). 456 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель