Издателям
Вышедшие номера
Влияние внешних воздействий на самоорганизацию наноструктур теллуридов свинца и олова на поверхности (111) BaF2 в условиях, близких к термодинамическому равновесию
Бахтинов А.П.1, Водопьянов В.Н.1, Иванов В.И.1, Ковалюк З.Д.1, Литвин О.С.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: chimsp@ukrpost.ua
Поступила в редакцию: 15 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология наноструктур PbTe и SnTe, выращенных на подложках BaF2 (111) из паровой фазы в вакууме в условиях, близких к термодинамическому равновесию. Исследованы равновесная форма квантовых точек PbTe и SnTe, а также статистические параметры массивов этих точек в зависимости от термодинамических условий выращивания, рассогласования параметров кристаллических решеток материалов квантовых точек и подложки, упругих свойств этих материалов. Установлено, что при деформировании подложки BaF2 (111) внешней механической нагрузкой в результате самоорганизации дислокаций на поверхности BaF2 (111) может быть сформирован упорядоченный на наномасштабном уровне деформационный рельеф, который может использоваться для формирования наноструктур. Морфология этого рельефа зависит от величины внешней нагрузки и от температуры, при которой осуществляется деформация подложки. Показано, что деформационное воздействие на поверхность подложки, а также оптическое облучение зоны роста наноструктур влияют на зарождение островков и кинетические процессы, протекающие на поверхности подложки в процессе их роста. В условиях внешних воздействий на поверхности BaF2 (111) при определенных термодинамических условиях могут быть выращены наноструктуры SnTe и PbTe с различной морфологией: сплошные эпитаксиальные слои толщиной менее 10 nm, однородные массивы квантовых точек с высокой латеральной плотностью (более 1011 cm2), квазипериодические латеральные наноструктуры (нанопроволоки), "одиночные" и "спаренные" квантовые точки, "молекулы" квантовых точек.
  • D.M.N.M. Dissanayake, R.A. Hatton, T. Lutz, C.E. Giusca, R.J. Curry, S.R.P. Silva. Appl. Phys. Lett. 91, 133 506 (2007)
  • K. Szendrei, W. Gomulya, M. Yarema, W. Heiss, M.A. Loi. Appl. Phys. Lett. 97, 203 501 (2010)
  • X.H. Yang, X.Y. Qin. Appl. Phys. Lett. 97, 192 101 (2010)
  • K. Koike, T. Itakura, T. Hotei, M. Yano. Appl. Phys. Lett. 91, 181 911 (2007)
  • A. Kigel, M. Brumer, G.I. Maikov, A. Sashchiuk, E. Lifshitz. Small 5, 1675 (2009)
  • G. Springholz, T. Schwarzl, W. Heiss, G. Bauer, M. Aigle, H. Pascher, I. Vavra. Appl. Phys. Lett. 79, 1225 (2001)
  • C.B. Murray, C.R. Kagan, M.G. Bawendi. Science 270, 1335 (1995)
  • G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, G. Bauer. Science 282, 734 (1998)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП 31, 385 (1998)
  • J.G. Tischler, T.A. Kennedy, E.R. Glaser, Al.L. Efros, E.E. Foos, J.E. Boercker, T.J. Zega, R.M. Stroud, S.C. Erwin. Phys. Rev. B 82, 245303 (2010)
  • A.Y. Ueta, G. Springholz, G. Bauer. J. Cryst. Growth 175/176, 1022 (1997)
  • K. Alhalabi, D. Zimin, G. Kostorz, H. Zogg. Phys. Rev. Lett. 90, 026104 (2003)
  • S.O. Ferreira, B.R.A. Neves, R. Magalhaes-Paniago, A. Malachias, P.H.O. Rappl, A.Y. Ueta, E. Abramof, M.S. Andrade. J. Crystal Growth. 231, 121 (2001)
  • В.Н. Водопьянов, А.П. Бахтинов, Е.И. Слынько, Г.В. Лашкарев, В.М. Радченко, П.М. Литвин, О.С. Литвин. Письма в ЖТФ 31, 16 88 (2005)
  • В.Н. Водопьянов, А.П. Бахтинов, Е.И. Слынько. Письма в ЖТФ 32, 4, 62 (2006)
  • T.I. Sheremeta, I.V. Prokopenko, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, V.N. Vodop'yanov, A.P. Bakhtinov, E.I. Slyn'ko. Functional Materials. 14, 86 (2007)
  • H. Clemens, E.J. Fantner, W. Ruhs, G. Bauer. J. Crystal Growth. 66, 251 (1984)
  • P. Muller, R. Kern. J. Crystal Growth. 193, 257 (1998)
  • A. Rastelli, M. Stoffel, J. Tersoff, G.S. Kar, O.G. Schmidt. Phys. Rev. Lett. 95, 026 103 (2005)
  • J.Y. Li, Q.G. Du, S. Ducharme. J. Appl. Phys. 104, 094 302 (2008)
  • Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. В кн.: Стехиометрия в кристаллических соединениях и ее влияние на их физические свойства. Тр. ФИАН 177, 5 (1987)
  • Г.М. Гуро, Г.А. Калюжная, Т.С. Мамедов, Л.А. Шелепин. ЖЭТФ 77, 2366 (1979)
  • N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Cryst. Growth 255, 68 (2003)
  • Н.П. Скворцова. ФТТ 48, 70 (2006)
  • Г.А. Малыгин. ФТТ 49, 1392 (2007)
  • R. Kern, P. Muller. J. Cryst. Growth. 146, 193 (1995)
  • J.M. Mativetsky, S. Fostner, S.A. Burke, P. Grutter. Phys. Rev. B 80, 045 430 (2009)
  • H. Holloway, I.N. Walpole. Prog. Cryst. Growth Charact. 2, 49 (1979)
  • В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x-диаграммы состояния систем металл--халькоген. Наука, М. (1987). 280 с
  • M. Pinczolits, G. Springholz, G. Bauer. J. Cryst. Growth 201/202, 1126 (1999)
  • V. Holy, G. Springholz, M. Pinczolits, G. Bauer. Phys. Rev. Lett. 83, 356 (1999)
  • В.Н. Водопьянов, А.П. Бахтинов, Е.И. Слынько, М.В. Радченко, В.И. Сичковский, Г.В. Лашкарев, W. Dobrowolski, R. Yakiela. ФТТ 48, 1266 (2006)
  • K. Schmalzl. Phys. Rev. B 75, 014 306 (2007)
  • D.K. Hohnke, H. Holloway, M.D. Hulley. Thin Solid Films 38, 49 (1976)
  • F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998)
  • Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. Наука, М. (1987). 431 с
  • D. Salac, W. Lu. Appl. Phys. Lett. 89, 073 105 (2006)
  • F. Mugele, J.-C. Baret. J. Phys.: Cond. Matter 17, R705 (2005)
  • S. Mahapatra, K. Brunner, C. Bougerol. Appl. Phys. Lett. 91, 153 110 (2007)
  • S. Blunier, H. Zogg, C. Maissen, A.N. Tiwari, R.M. Overney, H. Haefke, P.A. Buffat, G. Kostorz. Phys. Rev. Lett. 68, 3599 (1992)
  • H. Brune, K. Bromann, H. Roder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltse, K. Jacobsen, J. Norskov. Phys. Rev. B 52, R14 380 (1995)
  • М.И. Векслер, Ю.Ю. Илларионов, С.М. Сутурин, В.В. Федоров, Н.С. Соколов. ФТТ 52, 2205 (2010)
  • Y. Fukuma, M. Arifuku, H. Asada, T. Koyanagi, J. Appl. Phys. 97, 073 910 (2005)
  • Y. Fukuma, H. Asada, N. Moritake, T. Irisa, T. Koyanagi. Appl. Phys. Lett. 91, 092 501 (2007)
  • Y. Akiyama, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett. 89, 183 108 (2006)
  • Г.А. Малыгин. ФТТ 37, 3 (1995)
  • T. van Lippen, R. Notzel, G.J. Hamhuis, J.H. Wolter. J. Appl. Phys. 97, 044 301 (2005)
  • S.-S. Li, J.-B. Xia. Appl. Phys. Lett. 91, 092 119 (2007)
  • M. Yamagiva, T. Mano, T. Kuroda, T. Tateno, K. Sakoda, G. Kido, N. Koguchi, F. Minami. Appl. Phys. Lett. 88, 113 115 (2006)
  • В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики--полупроводники. Наука, М. (1976). 408 c
  • K.H. Bennemann. J. Phys.: Cond. Matter 23, 073 202 (2011)
  • A. Raab, G. Springholz. Appl. Phys. Lett. 77, 2991 (2000)
  • A. Imamoglu, D.D. Awshalom, G. Burkard, D.P. DiVincenzo, D. Loss, M. Sherwin, A. Small. Phys. Rev. Lett. 83, 4204 (1999).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.