Для описания электронного спектра эпитаксиального графена предложена модифицированная адсорбционная модель, учитывающая, что только часть атомов графена (порядка трети) ковалентно связана с атомами SiC подложки. В результате в эпитаксиальном монослое имеются островки как бесщелевого, так и щелевого графена. Полученные в рамках модифицированной адсорбционной модели аналитические выражение для наведенной подложкой щели в спектре, показывают, в частности, что щель возникает только в случае, когда центр запрещенной зоны подложки не совпадает с точкой Дирака графена. Численные оценки ширины щели выполнены для подложек, представляющих собой гексагональные политипы карбида кремния согласуются с результатами численных расчетов других авторов. Предложены способы экспериментальной проверки полученных зависимостей ширины щели от параметров задачи. Ключевые слова: бесщелевой и щелевой графен, политипы SiC.