Предложен новый подход к повышению квантовой эффективности слабо поглощающих фотодетекторов на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками. Основу подхода составляет концепция тандемных структур с гибридными метаповерхностями, объединяющими фотонный кристалл в виде решетки отверстий на поверхности фотодиода и нанодиски Au, размещенные на дне этих отверстий. Вариация глубины отверстий позволяет управлять положением области локализации плазмонного поля относительно активной среды, что принципиально отличает предложенную геометрию от классических плазмонных фотодиодов с поверхностным расположением металлической пленки. Период расположения отверстий фотонного кристалла составлял 400 nm, диаметр отверстий и Au дисков 220 nm, глубина отверстий варьировалась от 75 до 450 nm. Показано, что максимум поля на длинах волн ~2.5 μm обусловлен возбуждением изолированных локализованных поверхностных плазмонов. Оптический резонанс в области длин волн 1.7 μm связан с генерацией латеральной моды, распространяющейся в слое с квантовыми точками между нанодисками Au и возникающей в результате взаимодействия изолированных поверхностных плазмонов с модами фотонного кристалла. Ключевые слова: оптическая телекоммуникация, квантовые точки Ge/Si, локализованные поверхностные плазмоны, волноводные моды, усиление электромагнитного поля.