Вышедшие номера
Диффузионная устойчивость ультратонких слоев Ag в многослойных металл-оксидных тонкопленочных структурах
Паращук Н.С. 1, Чхеидзе В.Д.1, Таирова А.Э.1, Губина К.А.1, Чаусов Д.Н. 1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: parashchuk.ns@mail.ru, vitaliyach2005@yandex.ru, a.tairova05@vk.com, karinaalekseevna1029@yandex.ru, d.chausov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2026 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2026 г.
Принята к печати: 28 августа 2026 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2026 г.

Исследованы закономерности диффузионной устойчивости ультратонких пленок Ag при отжиге многослойных структур ITO/Ag/ITO. Установлено, что термическая эволюция оптоэлектронных и морфологических свойств структур определяется конкуренцией процессов диффузионного перераспределения Ag и рекристаллизации ITO при толщине Ag, соответствующей области перколяционного перехода. Впервые показано, что увеличение толщины слоев ITO приводит к увеличению визуальных размеров диффузионных агрегатов Ag. Полученные результаты демонстрируют определяющую роль конфигурации многослойной структуры в обеспечении диффузионной устойчивости ультратонких пленок Ag. Ключевые слова: тонкие пленки, перколяционные переходы, диффузия, термический отжиг.
  1. V.H. Nguyen, D.T. Papanastasiou, J. Resende, L. Bardet, T. Sannicolo, C. Jimenez, D. Munoz-Rojas, N.D. Nguyen, D. Bellet. Small 18, 19, 2106006 (2022)
  2. M. Morales-Masis, S. De Wolf, R. Woods-Robinson, J.W. Ager, C. Ballif. Adv. Electron. Mater. 3, 5, 1600529 (2017)
  3. A.I. Hofmann, E. Cloutet, G. Hadziioannou. Adv. Electron. Mater. 4, 10, 1700412 (2018)
  4. S. Sharma, S. Shriwastava, S. Kumar, K. Bhatt, C.C. Tripathi. Opto-Electron. Rev. 26, 3, 223 (2018)
  5. J. Han, C. Sung, C. Shin, Y. Kim, T.Y. Kim. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 249, 112035 (2023)
  6. C.M. Lee, Y.B. Kim, S. Sarker, D.H. Kim, T.W. Kim, S.H. Ullah Shah, H.W. Cho, T.-S. Bae, S.M. Yu, Y.-Ch. Kang, S. Han, P.J. Jesuraj, K.-J. Ko, M. Song, Ch.-S. Kim, S.Y. Ryu. Adv. Mater. Interfaces 11, 2, 2300652 (2024)
  7. Н.С. Паращук, А.Д. Курилов, Ю.Е. Бонюшкин, С.А. Стахарный, А.В. Нуриев, А.А. Морозов, Д.Н. Чаусов. Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии 1, 8, 16 (2025)
  8. K.P. Chang, Y.W. Chien, P.H. Wang, C.C. Yen, Y.X. Lin, Y.J. Gao, W.Y. Wu, D.S. Wuu. ACS Appl. Electron. Mater. 5, 2, 905 (2023)
  9. K.-M. Lin, T.-R. Zhang, W.-T. Hsiao. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 36, 8, 453 (2025)
  10. S.J. Oh, S. Lee, K.C. Choi, J.H. Kwon, T.S. Kim. J. Mater. Chem. C 11, 22, 7262 (2023)
  11. M. Bender, W. Seelig, C. Daube, H. Frankenberger, B. Ocker, J. Stollenwerk. Thin Solid Films 326, 1-2, 67 (1998)
  12. C. Choi, J. Lee, S. Ghosh, M. Patel, J. Lee, P. Bhatnagar, N. Kumar, C.E. Osigwe, J. Kim. Solar RRL 8, 4, 2300936 (2024)
  13. H.J. Jeong, Y.S. Kim, S.G. Jeong, J.S. Park. ACS Appl. Electron. Mater. 4, 3, 1343 (2022)
  14. Y. Zheng, W. Chen, Y. Chen, J. Chen, B. Zhao, Q. Zhang, X. Li. Chem. Eng. J. 464, 142591 (2023)
  15. C. Wang, Y. Zhao, T. Ma, Y. An, R. He, J. Zhu, C. Chen, S. Ren, F. Fu, D. Zhao, X. Li. Nat. Energy 7, 8, 744 (2022)
  16. H.S. Roh, S.H. Cho, W.J. Lee. Physica Status Solidi A 207, 7, 1558 (2010)
  17. Y. Ren, P. Liu, R. Liu, Y. Wang, Y. Wei, L. Jin, G. Zhao. J. Alloys Compd. 893, 162304 (2022)
  18. M. Ahmed, A. Bakry, A. Qasem, H. Dalir. Opt. Mater. 113, 110866 (2021)
  19. L.G. Daza, M. Acosta, R. Castro-Rodriguez, A. Iribarren. Trans. Nonferrous Met. Soc. China 29, 12, 2566 (2019)
  20. E. Kusano. J. Vac. Sci. Technol. A 43, 2, 023404 (2025)
  21. M. Hovel, B. Gompf, M. Dressel. Phys. Rev. B 81, 3, 035402 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.