Диффузионная устойчивость ультратонких слоев Ag в многослойных металл-оксидных тонкопленочных структурах
Паращук Н.С.
1, Чхеидзе В.Д.
1, Таирова А.Э.
1, Губина К.А.
1, Чаусов Д.Н.
11Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия

Email: parashchuk.ns@mail.ru, vitaliyach2005@yandex.ru, a.tairova05@vk.com, karinaalekseevna1029@yandex.ru, d.chausov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2026 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2026 г.
Принята к печати: 28 августа 2026 г.
Выставление онлайн: 16 октября 2026 г.
Исследованы закономерности диффузионной устойчивости ультратонких пленок Ag при отжиге многослойных структур ITO/Ag/ITO. Установлено, что термическая эволюция оптоэлектронных и морфологических свойств структур определяется конкуренцией процессов диффузионного перераспределения Ag и рекристаллизации ITO при толщине Ag, соответствующей области перколяционного перехода. Впервые показано, что увеличение толщины слоев ITO приводит к увеличению визуальных размеров диффузионных агрегатов Ag. Полученные результаты демонстрируют определяющую роль конфигурации многослойной структуры в обеспечении диффузионной устойчивости ультратонких пленок Ag. Ключевые слова: тонкие пленки, перколяционные переходы, диффузия, термический отжиг.
- V.H. Nguyen, D.T. Papanastasiou, J. Resende, L. Bardet, T. Sannicolo, C. Jimenez, D. Munoz-Rojas, N.D. Nguyen, D. Bellet. Small 18, 19, 2106006 (2022)
- M. Morales-Masis, S. De Wolf, R. Woods-Robinson, J.W. Ager, C. Ballif. Adv. Electron. Mater. 3, 5, 1600529 (2017)
- A.I. Hofmann, E. Cloutet, G. Hadziioannou. Adv. Electron. Mater. 4, 10, 1700412 (2018)
- S. Sharma, S. Shriwastava, S. Kumar, K. Bhatt, C.C. Tripathi. Opto-Electron. Rev. 26, 3, 223 (2018)
- J. Han, C. Sung, C. Shin, Y. Kim, T.Y. Kim. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 249, 112035 (2023)
- C.M. Lee, Y.B. Kim, S. Sarker, D.H. Kim, T.W. Kim, S.H. Ullah Shah, H.W. Cho, T.-S. Bae, S.M. Yu, Y.-Ch. Kang, S. Han, P.J. Jesuraj, K.-J. Ko, M. Song, Ch.-S. Kim, S.Y. Ryu. Adv. Mater. Interfaces 11, 2, 2300652 (2024)
- Н.С. Паращук, А.Д. Курилов, Ю.Е. Бонюшкин, С.А. Стахарный, А.В. Нуриев, А.А. Морозов, Д.Н. Чаусов. Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии 1, 8, 16 (2025)
- K.P. Chang, Y.W. Chien, P.H. Wang, C.C. Yen, Y.X. Lin, Y.J. Gao, W.Y. Wu, D.S. Wuu. ACS Appl. Electron. Mater. 5, 2, 905 (2023)
- K.-M. Lin, T.-R. Zhang, W.-T. Hsiao. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 36, 8, 453 (2025)
- S.J. Oh, S. Lee, K.C. Choi, J.H. Kwon, T.S. Kim. J. Mater. Chem. C 11, 22, 7262 (2023)
- M. Bender, W. Seelig, C. Daube, H. Frankenberger, B. Ocker, J. Stollenwerk. Thin Solid Films 326, 1-2, 67 (1998)
- C. Choi, J. Lee, S. Ghosh, M. Patel, J. Lee, P. Bhatnagar, N. Kumar, C.E. Osigwe, J. Kim. Solar RRL 8, 4, 2300936 (2024)
- H.J. Jeong, Y.S. Kim, S.G. Jeong, J.S. Park. ACS Appl. Electron. Mater. 4, 3, 1343 (2022)
- Y. Zheng, W. Chen, Y. Chen, J. Chen, B. Zhao, Q. Zhang, X. Li. Chem. Eng. J. 464, 142591 (2023)
- C. Wang, Y. Zhao, T. Ma, Y. An, R. He, J. Zhu, C. Chen, S. Ren, F. Fu, D. Zhao, X. Li. Nat. Energy 7, 8, 744 (2022)
- H.S. Roh, S.H. Cho, W.J. Lee. Physica Status Solidi A 207, 7, 1558 (2010)
- Y. Ren, P. Liu, R. Liu, Y. Wang, Y. Wei, L. Jin, G. Zhao. J. Alloys Compd. 893, 162304 (2022)
- M. Ahmed, A. Bakry, A. Qasem, H. Dalir. Opt. Mater. 113, 110866 (2021)
- L.G. Daza, M. Acosta, R. Castro-Rodriguez, A. Iribarren. Trans. Nonferrous Met. Soc. China 29, 12, 2566 (2019)
- E. Kusano. J. Vac. Sci. Technol. A 43, 2, 023404 (2025)
- M. Hovel, B. Gompf, M. Dressel. Phys. Rev. B 81, 3, 035402 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.