Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2025, выпуск 11 » Статья стр. 2203
<<<>>>
Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs
РНФ, №90 - Конкурс 2024 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс) , 24-22-20012
Поленок Е.Д.1,2, Преображенский В.В. 3, Путято М.А. 3, Семягин Б.Р. 3, Потапович Н.С. 1, Хвостиков В.П. 1, Ушанов В.И. 1, Чалдышев В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: e.d.polenok@mail.ioffe.ru, pvv@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, nspotapovich@mail.ioffe.ru, vlkhv@scell.ioffe.ru, decorus2009@mail.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 31 октября 2025 г.
Принята к печати: 1 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 2025 г.
PDF версия
Показана возможность создания и изучены оптические свойства структуры, представляющей собой матрицу эпитаксиального GaAs со встроенной периодической последовательностью квазидвумерных слоев нановключений Bi. В спектрах оптического отражения от такой структуры обнаружен резонансный пик, обусловленный брэгговской дифракцией электромагнитных волн, рассеивающихся на системе нановключений. Значительная амплитуда пика отражения (около 15% при нормальном падении света) обусловлена тем, что длина волны брэгговского резонанса близка к длине волны локализованного поверхностного плазмонного резонанса в системе наночастиц висмута в матрице арсенида галлия. Ключевые слова: GaAs, Bi, оптические свойства, плазмонный резонанс, наночастицы.
  1. S.A. Maier. Plasmonics: fundamentals and applications. New York: Springer (2007). 
  2. L. Wang, M. Hasanzadeh Kafshgari, M. Meunier. Adv. Funct. Mater. 30, 51, 2005400 (2020). 
  3. N. Rivera, I. Kaminer. Nat. Rev. Phys. 2, 10, 538 (2020)
  4. A.N. Koya, M. Romanelli, J. Kuttruff, N. Henriksson, A. Stefancu, G. Grinblat, A. DeAndres, F. Schnur, M. Vanzan, M. Marsili, M. Rahaman, A.V. Rodri guez, T. Tapani, H. Lin, B.D. Dana, J. Lin, G. Barbillon, R.P. Zaccaria, D. Brida, D. Jariwala, L. Veisz, E. Cortes, S. Corni, D. Garoli, N. Maccaferri. Appl. Phys. Rev. 10, 2 (2023)
  5. V.E. Babicheva. Nanomaterials 13, 7, 1270 (2023)
  6. B.P. Nanda, P. Rani, P. Paul, R. Bhatia. J. Pharm. Anal. 14, 11, 100959 (2024). https://doi.org/10.1016/j.jpha.2024.02.013
  7. A.J. Haes, L. Chang, W.L. Klein, R.P. Van Duyne. J. Am. Chem. Soc. 127, 7, 2264 (2005)
  8. P. Mandal. Plasmonics 17, 3, 1247 (2022)
  9. I. Ibrahim Zamkoye, B. Lucas, S. Vedraine. Nanomaterials 13, 15, 2209 (2023)
  10. M. Fleischmann, P.J. Hendra, A.J. McQuillan. Chem. Phys. Lett. 26, 2, 163 (1974)
  11. S. Bai, X. Ren, K. Obata, Y. Ito, K. Sugioka. Opto-Electronic Advances 5, 10, 210121 (2022)
  12. Y. Wang, X. Xu, Y. Li, C. Li, X. Wang, J. Wu, Y. Li. Talanta 269, 125432 (2024)
  13. S. Bogdanov, A. Boltasseva, V. Shalaev. Science 364, 532 (2019)
  14. L. Agiotis, M. Meunier. Laser Photonics Rev. 16, 10, 2200076 (2022)
  15. R. Rajamanikandan, K. Sasikumar, S. Kosame, H. Ju. Nanomaterials 13, 2, 290 (2023)
  16. C. Zhang, C. Huang, M. Pu, J. Song, Z. Zhao, X. Wu, X. Luo. Sci. Rep. 7, 1, 5652 (2017)
  17. Y. Chen, H. Zhang, Z. Zhang, X. Zhu, Z. Fang. Photonic Insights 4, R04 (2025)
  18. N.A. Toropov, I.A. Gladskikh, P.V. Gladskikh, A.N. Kosarev, V.V. Preobrazhenskiivi, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev, T.A. Vartanyan. J. Opt. Technol. 84, 459 (2017)
  19. V.M. Silkin, S.V. Eremeev, V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev. Nanomaterials 13, 1355 (2023)
  20. V.I. Ushanov, S.V. Eremeev, V.M. Silkin, V.V. Chaldyshev. Nanomaterials 14, 167 (2024)
  21. V.I. Ushanov, S.V. Eremeev, V.M. Silkin, V.V. Chaldyshev. Nanomaterials 14, 109 (2024)
  22. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП 47, 8, 1043 (2013)
  23. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП 50, 12, 1620 (2016)
  24. S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei, F. Schiettekatte. Appl. Phys. Lett. 82, 14, 2245 (2003).
  25. Е.Д. Поленок, Н.А. Берт, А.А. Иванов, Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, М.А. Яговкина, В.В. Чалдышев. ФТТ 9, 1514 (2024)
  26. Е.Д. Поленок, Н.А. Берт, А.А. Иванов, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Чалдышев. ФТТ 67, 1, 39 (2025)
  27. B.N.J. Persson, A. Liebsch. Phys. Rev. B 28, 8, 4247 (1983)
  28. S. Adachi. Properties of semiconductor alloys: group-IV, III-V and II-VI semiconductors. John Wiley \& Sons (2009)
  29. L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev, Crystallography Reports, 47, S118 (2002)
  30. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B 88, 195-204 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme