В слоистых пленках топологических изоляторов p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ и p-Bi₂Te₃, осажденных дискретным испарением, исследована морфология межслоевой поверхности Ван-дер-Ваальса (0001) методом сканирующей туннельной микроскопии. Проведена систематизация примесных и собственных дефектов, возникающих в процессе формирования пленок. Установлено, что в пленке твердого раствора p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ с низкой теплопроводностью возрастает плотность вакансий теллура V_Te и искажений по высоте в распределении атомов Te(1) на поверхности (0001) по сравнению с p-Bi₂Te₃. Методом сканирующей туннельной спектроскопии определены локальные параметры поверхностных электронных состояний фермионов Дирака. Показано, что в пленке p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ с высокой термоэлектрической эффективностью точка Дирака E_D смещается к потолку валентной зоны. Несмотря на то, что в объеме исследованные пленки имеет проводимость p-типа, на поверхности пленок находятся электроны, поскольку уровень Ферми E_F располагается выше точки Дирака E_D. Флуктуации энергии точки Дирака Δ E_D/< E_D>, края валентной зоны Δ E_V/< E_V> и энергии уровней поверхностных дефектов E_p в пленках p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ ниже, чем в p-Bi₂Te₃ вследствие изменения плотности состояний на поверхности (0001). Ширина запрещенной зоны E_g в исследованных пленках возрастает по сравнению с оптическими данными вследствие инверсии краев валентной зоны и зоны проводимости в топологических изоляторах. Ключевые слова: халькогениды висмута и сурьмы, слоистые пленки, поверхностные дефекты, поверхностная концентрация фермионов, топологический изолятор.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.