Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование методом Монте-Карло фотоэлектрического эффекта в черном фосфорене
Российский научный фонд, Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами», 23-22-00461
Завьялов Д.В.
1, Конченков В.И.
1,2, Сивашова Е.С.
1
1Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия 
2Волгоградский государственный социально-педагогический университет, Волгоград, Россия
2Волгоградский государственный социально-педагогический университет, Волгоград, Россия
Email: sinegordon@gmail.com, kontchenkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 2 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
При помощи моделирования методом Монте-Карло численно исследован фотоэлектрический эффект в черном фосфорене в приближении постоянного времени релаксации. Показано влияние анизотропии энергетического спектра на проявление эффекта. Согласно данным расчета, решающую роль в возникновении тока увлечения играет неупругое рассеяние электронов. Ключевые слова: фосфорен, фотоэлектрический эффект, метод Монте-Карло.
- M. Ezawa. J. Phys.: Conf. Ser. 603, 012006 (2015). DOI: 10.1088/1742-6596/603/1/012006
- V. Chaudhary, P. Neugebauer, O. Mounkachi, S. Lahbabi, A. El. Fatimy. 2D-Mater. 9, 032001 (2022). DOI: 10.1088/2053-1583/ac6dc2
- Д.В. Завьялов, С.В. Крючков, Е.И. Кухарь. ФТП 41, 6, 726 (2007)
- L. Shi, D. Zhang, K. Chang, J.C.W. Song. Phys. Rev. Lett. 126, 197402 (2021). DOI: doi.org/10.1103/PhysRevLett.126.197402
- H. Plank, J. Pernul, S. Gebert, S.N. Danilov, J. Konig-Otto, S. Winnerl, M. Lanius, J. Kampmeier, G. Mussler, I. Aguilera, D. Grutzmacher, S.D. Ganichev. Phys. Rev. Mater. 2, 024202 (2018). DOI: 0.1103/PhysRevMaterials.2.024202
- L. Zhu, Z. Yao, Y. Huang, Ch. He, B. Quan, J. Li, Ch. Gu, X. Xu, Zh. Ren. Phys. Rev. Appl., 12, 044063 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.12.044063
- J. Zhao, Y. Hu, Y. Xie, L. Zhang, Y. Wang. Phys. Rev. Appl. 14, 064003 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.064003
- Y. Xiong, Y. Wang, R. Zhu, H. Xu, Ch. Wu, J. Chen, Y. Ma, Y. Liu, Y. Chen, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Shi, X. Chen, Y. Lu, P. Zhan, Y. Hao, F. Xu. Sci. Adv. 8, eabo0375 (2022). DOI: 10.1126/sciadv.abo0375
- Р. Либов. Введение в теорию кинетических уравнений. Мир, М. (1974). С. 233-237
- В.М. Борздов, А.В. Борздов, Ю.Г. Василевский. ФТП 57, 1, 14 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54925.4425
- Д.В. Завьялов, С.В. Крючков, Т.А. Тюлькина. ФТП 44, 7, 910 (2010)
- G. Gaddemane, M.L. Van de Put, W.G. Vandenberghe, E. Chen, M.V. Fischetti. J. Comp. El. 20, 60 (2021). DOI: 10.1007/s10825-020-01610-6
- B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors. Oxford University Press, Oxford (2013). P. 89-100.
