Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ структурного состава пленки карбида кремния, полученной методом высокотемпературного химического осаждения из газовой фазы

DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56756.5224k

Шишкин И.А.¹, Шишкина Д.А.¹, Нефедов С.А.¹, Лебедев Д.М.¹, Чепурнов В.И.¹, Артемьев Д.Н.¹

¹Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия Samara National Research University, Samara, Russia

Samara National Research University, Samara, Russia

Email: daria.lizunkova@yandex.ru

Поступила в редакцию: 18 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 3 августа 2023 г.

Принята к печати: 30 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Исследуется поверхность структур карбида кремния, изготовленная высокотемпературным химическим осаждением из газовой фазы (HTCVD). Показано, что на поверхностях пластин с ориентацией 111 и 100 растет однородная поликристаллическая пленка карбида кремния толщиной порядка 3-6 mkm. Приведены результаты рентгенофазового анализа и спектров комбинационного рассеяния образцов с карбидом кремния. Показано, что технология изготовления пленки карбида кремния может привести к возникновению чистого углерода на поверхности. Ключевые слова: карбид кремния, HTCVD, комбинационное рассеяние, рентгенофазовый анализ.

M.A. Guidry, K. Youl Yang, D.M. Lukin, A.Markosyan, J. Yang, M.M. Fejer, J.Vuv ckovic. Optica 7, 9, 1139 (2020). https://doi.org/10.1364/OPTICA.394138
S. Castelletto, А. Boretti. J. Phys. Photon. 2, 022001 (2020). DOI 10.1088/2515-7647/ab77a2
S.I. Kharitonov, N.L. Kazanskiy, S.G. Volotovskiy, S.N. Khonina. Comp. Opt. 46, 5, 741 (2022). DOI: 10.18287/2412-6179-CO-1174
O.A. Ageev. Silicon carbide: technology, properties, application. ISMA, Kharkov (2010). 532 p
E. Alexsandre, J. Zhang, J. Peterson, A. Henry, Q. ul Wahab, J.P. Bergman, Yu.N. Makarov, A.N. Vorob'ev, A. Vehanen, E. Janzen. Mater. Sci. Eng. B 61, 113, (1999)
A.A. Lebedev, N. Strokan, A. Ivanov, D. Davydov, N. Savkina, E. Bogdanova, A. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett. 79, 4447 (2002). doi. 10.1063/1.1428765
K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu. Wide Bandgap Semiconductors. Springer, Berlin (2007). 481 p
L.A. Falkovsky, J.M. Bluet, J. Camassel. Phys. Rev. B 57, 18, 11283 (1998)

Учредители

Издатель