Посвящена исследованию морфологии и электрофизических характеристик эпитаксиальных пленок YBCO, полученных методом лазерного распыления, при осаждении YBCO в окна задающей маски (ЗМ). Совершенствованию морфологии пленки YBCO посвящено большое количество работ, где снижение плотности и размеров дефектов в пленках YBCO осуществляется, за счет снижения температуры роста, но при этом одновременно ухудшаются и электрофизические параметры пленок. Кардинальное отличие нашего подхода, а именно, использование предложенного нами метода задающей маски, заключается в том, что мы осаждаем YBCO на подложку с заранее сформированной маской, задающей топологию структуры. Нами показано, что морфология пленки YBCO вблизи границы с ЗМ может радикально отличаться от морфологии пленки YBCO в широких областях вдали от границы ЗМ. При этом в режиме роста, оптимальном по электрофизическим характеристикам, пленка YBCO в узких протяженных окнах ЗМ обладает совершенной ("very smooth") поверхностью, тогда как плотность дефектов на участках пленки вдали от границы пленка - ЗМ составляет величину более 10⁷ cm^-2. Наблюдаемый эффект открывает возможность формирования YBCO-структур с бездефектными областями в нужных местах подложки, и затем воспроизводимого формирования в этих областях критических элементов схемы субмикронного масштаба. Ключевые слова: нано- и микроструктуры, дефекты, рост в локальных областях, YBCO.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.