Издателям
Вышедшие номера
Магнитные и магнитооптические свойства ферромагнитного полупроводника GaN:Cr
Орлов А.Ф.1, Балагуров Л.А.1, Кулеманов И.В.2, Перов Н.С.3, Ганьшина Е.А.3, Семисалова А.С.3, Рубачева А.Д.3, Зиненко В.И.4, Агафонов Ю.А.4, Сарайкин В.В.5
1Государственный научно-исследовательский институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
2Московский государственный институт стали и сплавов, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
5Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Email: semisalova@magn.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

В диапазоне температур 50-400 K исследованы магнитные и магнитооптические свойства слоев GaN, имплантированных хромом. В полученном материале наблюдалось высокое значение намагниченности насыщения 25 G. Спектры экваториального магнитооптического эффекта Керра выявили сильный магнитооптический отклик в диапазоне энергий менее 3.0 eV, обусловленный новыми спин-поляризованными состояниями в запрещенной зоне GaN при допировании Cr. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 10-02-00804, 09-02-00309-a). А.С. Семисалова благодарит Министерство образования РФ (грант 14.740.12.0851).
  • I. vZutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004)
  • M.H. Kryder, C.S. Kim. IEEE Trans. Magn. 45, 3406 (2009)
  • S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, H. Hori. J. Cryst. Growth, 237, 1358 (2002)
  • H. Hori, S. Sonoda, T. Sasaki, Y. Yamamoto, S. Shimizu, K.-I. Suga, K. Kindo. Physica B 324, 142 (2002)
  • H.X. Liu, S.Y. Wu, R.K. Singh, L. Gu, D.J. Smith, N. Newman, N.R. Dilley, L. Montes, M.B. Simmonds. Appl. Phys. Lett. 85, 4076 (2004)
  • T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Science 287, 1019 (2000)
  • G.P. Das, B.K. Rao, P. Jena. arXiv:cond-mat/0208258 (2002)
  • K. Sato, H. Katayama--Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys. 40, L485 (2001)
  • S.E. Park, H.-J. Lee, Y.C. Cho, S.-Y. Jeong, C.R. Cho, S. Cho. Appl. Phys. Lett. 80, 4187 (2002)
  • H. Asahi, Y.-K. Zhou, M. Hashimoto, M. Kanamura, R. Asano. J. Korean Phys. Society 42, S499 (2003)
  • H. Asahi, Y.-K. Zhou, M. Hashimoto, M.S. Kim, X.J. Li, S. Emura, S. Hasegawa. J. Phys.: Cond. Matter. 16, S5555 (2004)
  • R.K. Singh, S.Y. Wu, H.X. Liu, L. Gu, D.J. Smith, N. Newman. Appl. Phys. Lett. 86, 012 504 (2005)
  • P.R. Davies, B.P. Gila, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, S.J. Stanton. Appl. Phys. Lett. 96, 212 502 (2010)
  • R. Wang, A.J. Steckl, N. Nepal, J.M. Zavada. J. Appl. Phys. 107, 013 901 (2010)
  • L. Yu, Z. Wang, M. Guo, D. Liu, Y. Dai, B. Huang. Chem. Phys. Lett. 487, 251 (2010)
  • M. Hashimoto, Y.K. Zhou, M. Kanamura, H. Katayama-Yoshida, H. Asahi. J. Cryst. Growth 251, 327 (2003).
  • J.E. Medvedeva, A.J. Freeman, X.Y. Cui, C. Stampfl, N. Newman. Phys. Rev. Lett. 94, 146 602 (2005)
  • G.T. Thaler, M.E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.S. Lee, S.Y. Lee, Y.D. Park, Z.G. Khim, J. Kim, F. Ren. Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002)
  • S. Sonoda, I. Tanaka, H. Ikeno, T. Yamamoto, F. Oba, T. Araki, Y. Yamamoto, K. Suga, Y. Nanishi, Y. Akasaka, K. Kindo, H. Hori. arXiv:cond-mat/0511435 (2005)
  • J.-H. Lee, I.-H. Choi, S. Shin, S. Lee, J. Lee, C. Whang, S.-C. Lee, K.-R. Lee, J.-H. Baek, K.H. Chae, J. Song. Appl. Phys. Lett. 90, 032 504 (2007)
  • R.-T. Huang, C.-F. Hsu, J.-J. Kai, F.-R. Chen, T.-S. Chin. Appl. Phys. Lett. 87, 202 507 (2005)
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.V. Pashkova, A.A. Shlensky, S.J. Pearton, M.E. Overberg, C.R. Abernathy, J.M. Zavada, R.G. Wilson. J. Appl. Phys. 93, 5388 (2003)
  • L.-F. Zhu, B.-G. Liu. J. Phys. Cond. Matter. 21, 446 005 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.