Вышедшие номера
Синтез тонких пленок TiN, Ti и TiSi2 для контактной системы солнечных элементов
Переводная версия: 10.1134/S1063783420010242
Нусупов К.Х.1, Бейсенханов Н.Б.1, Бакранова Д.И.1, Кейнбай С.1, Турахун А.А.1, Султан А.А.1
1Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Email: rich-famouskair@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Проанализировано влияние таких параметров осаждения как мощность магнетрона в диапазоне 690-1400 W; температура кремниевой подложки --- 23-170oC; расход газа N2 --- 0.9-3.6 l/h; расход газа Ar --- 0.06-3.6 l/h; отношение потоков газа N2/Ar --- 1-60 --- на толщину, плотность и состав осажденных пленок. Получена максимальная плотность 5.247 g/cm3, соответствующая составу TiN0.786=Ti56N44, при параметрах осаждения: 1200 W; N/Ar=1.8/0.06 l/h=30; 0.8 Pa; 320 s; 100oC. При температурах 700-800oС взаимная диффузия атомов титана и кремния через границу раздела приводит к активному зародышеобразованию, формированию нанокристаллов и низкоомных слоев металлизации. Методом рентгеновской дифракции показано, что во время отжига при 700oС (30 min, Ar) образование фазы TiSi2 вследствие диффузии атомов Ti в кремний вдвое интенсивнее, чем образование Ti5Si3 при диффузии атомов кремния в титан в результате высокой твердости титана. Средние размеры TiSi2 уменьшаются с 7.1 до 5.6 nm при 750oC из-за кристаллизации зародышей и увеличиваются до 9.2 nm при 800oC. Ключевые слова: кремний, титан, нитрид титана, диффузионные барьер, солнечный элемент.
  1. I. Wang, B.J. Raaijmakers, S. Burrow, S. Suthar, K. Redkar, K-B. Kim. J. Appl. Phys. 68, 5176 (1990)
  2. J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin. Silicon VLSI Technology (2000)
  3. C. Lee, Y-L. Kuo. JOM 1, 44 (2007)
  4. V.I. Rudakov, V.N. Gusev. Rus. Microelectron. 38, 279 (2009)
  5. J.E. Lewis, P.S. Ho. J. Vac. Sci. Technol. 20, 423 (1982)
  6. J.O. Olowolafe, J. Li, J.W. Mayer, E.G. Colgan. Appl. Phys. Lett. 58, 469 (1991)
  7. Y.S. Gong, J.C. Lin, C. Lee. Appl. Surf. Sci. 92, 335 (1996)
  8. M. Moriyama, T. Kawazoe, M. Tanaka, M. Murakami. Thin Solid Films 416, 136 (2002)
  9. S.P. Murarka. Silicides for VLSI. Mir, M, (1986). 176 p
  10. Y. Shulga, V.I. Rubzov, Y.C. Dulinets, E.A. Gromovich, Y.G. Borodko, V.G. Glebovsky. J. Surf. Investig.-X-R.A. 12, 110 (1989)
  11. А.Е. Morgan, Е.К. Broadbent, К.N. Ritz, D.К. Sadana, В.J. Barrow. J. Appl. Phys. 64 1, 344 (1988)
  12. A.G. Touryanski, A.V. Vinogradov, I.V. Pirshin. X-ray reflectometer Patent 6041098, US Cl. 378-70. Official Gazette March 21, 2000, 2960 (2000)
  13. S.A. Kukushkin, K.Kh. Nussupov, A.V. Osipov, N.B. Beisenkhanov, D.I. Bakranova. Superlat. Microstruct. 111, 899 (2017)
  14. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, I.V. Valitova, K.A. Mit', D.M. Mukhamedshina, E.A. Dmitrieva. J. Mater. Sci.-Mater. 19, 254 (2008)
  15. B.L. Henke, E.M. Gullikson, J.C. Davis. At. Data Nucl. Data Tables 54, 2 (1993). (http://henke.lbl.gov/optical\_constants/)
  16. F.W. Jones. Proc. R. Soc. A 166, 16 (1938)
  17. A. Taylor. X-ray metallography. John Wiley \& Sons, N.Y.-London (1961)
  18. P. Scherrer. Bestimmung der Grosse und der inneren Struktur von Kolloidteilchen mittels Rontgenstrahlen. Nachr. Ges. Wiss. Gottingen. 26, 98 (1918)
  19. B.E. Warren, J. Biscoe. J. Am. Ceram. Soc. 21, 1, 49 (1938).29ks

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.