Вышедшие номера
Диэлектрические параметры упруго напряженных, гетероэпитаксиальных пленок SrTiO3
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030065
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Методом лазерного испарения на монокристаллических подложках (001)La0.29Sr0.71Al0.65Ta0.35O3 выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 с толщиной промежуточного слоя титаната стронция 900 nm. Фотолитография и ионное травление были использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоскопараллельных пленочных конденсаторов, для которых измерены температурные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь при различном напряжении смещения, поданном на электроды из рутената стронция. Визуализированы температурные зависимости диэлектрической проницаемости промежуточного слоя SrTiO3 в сформированных конденсаторных структурах при компенсации внутреннего электрического поля и без неe. Проведен анализ причин резкого увеличения диэлектрических потерь в сформированных пленочных конденсаторах при температурах ниже 50 K. Финансовая поддержка данных исследований была получена из проекта РНФ 16-42-01-067.
  1. О.Г. Вендик. ФTT 51, 5, 1441 (2009)
  2. R.A. Chakalov, Z.G. Ivanov, Yu.A. Boikov, P. Larsson, E. Carlsson, S. Gevorgian, T. Claeson. Physica C 308, 3--4, 279 (1998)
  3. О.Г. Вендик, С.П. Зубко. ЖТФ 67, 3, 29 (1997)
  4. K.A. Muller, H. Burkard. Phys. Rev. B 19, 7, 3593 (1979)
  5. J. Hemberger, M. Nicklas, R. Viana, P. Lunkenheimer, A. Loidl, R. Bohmer. J. Phys.: Condens. Matter 8, 25, 4673 (1996)
  6. M.D. Biegalski, E. Vlahos, G. Sheng, Y.L. Li, M. Bernhagen, P. Reiche, R. Uecker, S.K. Streiffer, L.Q. Chen, Gopalan, D.G. Schlom, S. Trolier-McKinstry. Phys. Rev. B 79, 22, 224117 (2009)
  7. P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 32, 6221, (1983)
  8. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 11, 4357 (1971)
  9. J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56, 2--3, 152 (1998)
  10. R.W.G. Wyckoff. In: Crystal Structures. 2nd ed. Interscience, N.Y. 2, 394 (1964)
  11. Luke S.-J. Peng, X.X. Xi, B.H. Moeckly, S.P. Alpay. Appl. Phys. Lett. 83, 22, 4592 (2003)
  12. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C 336, 3--4, 300 (2000)
  13. J. Dec, W. Kleemann, B. Westwanski. J. Phys.: Condens. Matter. 11, 22, L379 (1999)
  14. A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D 29, 5, 1321 (1996)
  15. R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 5, 2124 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.