Вышедшие номера
Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7:Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик
Тагиев Б.Г.1, Касумов У.Ф.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: ulvi@azintex.com
Поступила в редакцию: 27 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Впервые представлены вольт-амперные характеристики монокристалла Ca4Ga2S7:Eu3+ и предпринята попытка теоретического обоснования процессов, обусловливающих их форму. Показано, что монокристаллы Ca4Ga2S7:Eu3+ являются высокоомными полупроводниками с удельным сопротивлением ~109 Omega·cm и относительной диэлектрической проницаемостью 10.55. Электрические свойства данных материалов определяют ловушки с энергиями активации 0.13 и 0.19 eV и концентрацией 9.5·1014-2.7·1015 cm-3. В слабых электрических полях имеет место монополярная инжекция носителей тока. В полях, превышающих 4·103 V / cm, происходит термополевая ионизация этих ловушек согласно теории Пула--Френкеля. При низких температурах в сильных полях (160 K и 5·104 V / cm) прохождение тока, по всей видимости, обусловлено прыжковой проводимостью носителей заряда по уровням в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми.
  1. B.G. Tagiev, R.B. Jabbarov, U.F. Kasumov, A.N. Georgobiani, N.N. Musaeva. New Technologies for 21-=SUP=-st-=/SUP=- Century 2, 58 (1999)
  2. A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, R.B. Jabbarov, N.N. Musaeva, U.F. Kasumov. Jpn. J. Appl. Phys. 39--1, 434 (2000)
  3. Б.Г. Тагиев. У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, О.Б. Тагиев. Неорган. материалы 36, 1, 7 (2000)
  4. Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, О.Б. Тагиев. Неорган. материалы 37, 12, 1430 (2001)
  5. Б.Г. Тагиев, А.Н. Георгобиани, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, У.Ф. Касумов, Э.Ф. Гамбаров. Неорган. Материалы, в печати
  6. Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, С.А. Абушов. ФТП 34, 1170 (2000)
  7. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Наук. думка, Киев (1981). 256 с
  8. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Ю.Г. Письменный. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Наук. думка, Киев. Вып. 11. С. 96. (1973)
  9. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Е.П. Шульга. УФЖ 23, 291 (1978)
  10. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорик, Е.П. Шульга. УФЖ 21, 370 (1977)
  11. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Е.П. Шульга. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Наук. думка, Киев, (1979). Вып. 29. С. 48
  12. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. В сб.: Микроэлектроника (1981). N 10. С. 99
  13. Ю.Г. Гусев, А.М. Иванов, А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, П.С. Смертенко. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Наук. думка, Киев, (1988). Вып. 14. С. 26
  14. А.Н. Зюганов. УФЖ 15, 45 (1974)
  15. O.B. Tagiev, G.H. Kasimova. Phys. Stat. Sol. (a) 128, 167 (1981)
  16. Ya.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 657 (1938)
  17. P.N. Murgatroud. J. Phys. 3, 2, 151 (1970)
  18. R.M. Hill. Thin Solid Films 8, R21 (1971)
  19. А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логазинская. В сб.: Труды ФИАН им. П.Н. Лебедева. (1987). Т. 182. С. 69
  20. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  21. Б.И. Шкловский. ФТП 6, 2335 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.