Издателям
Вышедшие номера
Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент
Российский научный фонд , 16-13-00061
Галашев А.Е.1, Иваничкина К.А.1, Воробьев А.С.1, Рахманова О.Р.1
1Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: galashev@ihte.uran.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Методом молекулярной динамики исследована структура и устойчивость двухслойного дефектного силицена на подложках Ag (001) и Ag (111). Трансформация функции радиального распределения силицена, происходящая за счет формирования моно-, би-, три- и гексавакансий, в основном сводится к уменьшению интенсивности пиков и исчезновению "плеча" на втором пике. Со временем может происходить объединение поливакансий, а также их деление и формирование вакансионных кластеров. Согласно геометрическому критерию, подложка Ag (001) обеспечивает большую устойчивость совершенного двухслойного силицена. Однако более низкое значение энергии дефектного силицена на этой подложке наблюдается только при наличии в нем моно- и бивакансий. Изменение размера дефектов создает смену энергетического приоритета в выборе между подложками Ag (001) и Ag (111). Движение иона лития по расширенному каналу между двумя листами силицена приводит к дальнейшему разупорядочению дефектной структуры силицена, при этом наиболее сильные напряжения в силицене создаются силами, направленными перпендикулярно напряженности внешнего электрического поля. Эти силы доминируют в силиценовом канале, стенка которого поддерживается подложкой Ag (001) или Ag (111). Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект N 6-13-00061). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44496.300
  • P. Vogt, P. de Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M.C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, G. le Lay. Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012)
  • B.J. Feng, Z. Ding, Sh. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, K. Wu. Nano Lett. 12, 3507 (2012)
  • A. Fleurence, R. Friedlein, T. Ozaki, H. Kawai, Y. Wang, Y. Yamada-Takamura. Phys. Rev. Lett. 108, 245501 (2012)
  • L. Meng, Y. Wang, L. Zhang, Sh. Du, R. Wu, L. Li, Y. Zhang, G. Li, H. Zhou, W.A. Hofer, H.-J. Gao. Nano Lett. 13, 685 (2013)
  • M.R. Tchalala, H. Enriquez, A.J. Mayne, A. Kara, S. Roth, M.G. Silly, A. Bendounan, F. Sirotti, T. Greber, B. Aufray, G. Dujardin, M.A. Ali, H. Oughaddou. Appl. Phys. Lett. 102, 083107 (2013)
  • G. le Lay, B. Aufray, C. Leandri, H. Oughaddou, J.-P. Biberian, P. de Padova, M.E. Davila, B. Ealet, A. Kara. Appl. Surf. Sci. 256, 524 (2009)
  • F. Banhart, J. Kotakoski, A.V. Krasheninnikov. ACS Nano 5, 26 (2011)
  • А.Е. Галашев. ЖТФ 84, 1 (2014)
  • J.F. Guo, J.F. Zhang, H.S. Liu, Q. Zhang, J. Zhao. Nanoscale 5, 9785 (2013)
  • V.O. Ozcelik, H.H. Gurel, S. Ciraci. Phys. Rev. B 88, 045440 (2013)
  • А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова. УФН 184, 1045 (2014)
  • W. Hu, X. Wu, Z. Li, J. Yang. Nanoscale 5, 9062 (2013)
  • A. Ambrosetti, P.L. Silvestrelli. J. Phys. Chem. C 118, 19172 (2014)
  • G.R. Berdiyorov, F.M. Peeters. RSC Adv. 4, 1133 (2014)
  • H. Jamgotchian, Y. Colignon, B. Ealet, B. Parditka, J.-Y. Hoarau, C. Girardeaux, B. Aufray, J.-P. Biberian. J. Phys. 491, 012001 (2014)
  • S. Li, Y. Wu, Y. Tu, Y. Wang, T. Jiang, W. Liu, Y. Zhao. Sci. Rep. 5, 7881 (2015)
  • T.H. Osborn, A.A. Farajian. J. Phys. Chem. C 116, 22916 (2012)
  • J. Tersoff. Phys. Rev. B 49, 16349 (1994)
  • А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова, Ю.П. Зайков. ФТТ 58, 9, 1786 (2016)
  • R. Yu, P. Zhai, G. Li, L. Liu. J. Electron. Mater. 41, 1465 (2012)
  • K.-N. Chiang, C.-Y. Chou, C.-J. Wu, C.-J. Huang, M.-C. Yew. ICCES 9, 130 (2009)
  • S.K. Das, D. Roy, S.J. Sengupta. Phys. F 7, 5 (1977)
  • J.R. Bordin. Physica A 459, 1 (2016)
  • K. Kawahara, T. Shirasawa, R. Arafune, C.-L. Lin, T. Takahashi, M. Kawai, N. Takagi. Surf. Sci. 623, 25 (2014)
  • R. Wang, S. Wang, X. Wu. 8.912 arXiv:1305.4789v2 [cond-mat.mes-hall] 23 May 2013. http://www.researchgate.net/publication/ 236871722
  • B. Peng, F. Cheng, Z. Tao. J. Chen. Chem. Phys. 133, 034701 (2010)
  • K. Muller, F.F. Krause, A. Beche, M. Schowalter, V. Galioit, S. Loffler, J. Verbeeck, J. Zweck, P. Schattschneider, A. Rosenauer. Nature Commun. 5, 5653 (2014)
  • А.Е. Галашев, В.А. Полухин. ФММ 115, 742 (2014)
  • А.Е. Галашев. ФММ 117, 258 (2016)
  • S.J. Plimpton. Comp. Phys. 117, 1 (1995)
  • M.R. Chavez-Castillo, M.A. Rodriguez-Meza, L. Meza-Montes. Rev. Mexic. Fis. 58, 139 (2012)
  • F.H. Stillinger, T.A. Weber. Phys. Rev. 31, 5262 (1985)
  • G.L. Lay. 8.912 www.uv.es/wsetld/archivos/Monday/ws10-Le-Lay.pdf
  • А.Е. Галашев, В.А. Полухин. ЖФХ 88, 997 (2014)
  • А.Е. Галашев, В.А. Полухин. ФТТ 55, 1620 (2013)
  • А.Е. Галашев, А.А. Галашева. Химия высоких энергий 48, 142 (2014)
  • А.Е. Галашев, И.А. Измоденов, А.Н. Новрузов, О.А. Новрузова. ФТП 41, 196 (2007)
  • А.Е. Галашев, В.А. Полухин, И.А. Измоденов, О.Р. Рахманова. Физика и химия стекла 32, 137 (2006)
  • M.A. Ledina, X. Liang, Y.G. Kim, J. Jung, B. Perdue, C. Tsang, M.P. Soriaga, J.L. Stickney. ECS Transact. 66, 6 129 (2015)
  • T.P. Kaloni, M. Tahir, U. Schwingenschlogl. Sci. Rep. 3, 3192 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.