Издателям
Вышедшие номера
Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент
Российский научный фонд , 16-13-00061
Галашев А.Е.1, Иваничкина К.А.1, Воробьев А.С.1, Рахманова О.Р.1
1Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: galashev@ihte.uran.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Методом молекулярной динамики исследована структура и устойчивость двухслойного дефектного силицена на подложках Ag (001) и Ag (111). Трансформация функции радиального распределения силицена, происходящая за счет формирования моно-, би-, три- и гексавакансий, в основном сводится к уменьшению интенсивности пиков и исчезновению "плеча" на втором пике. Со временем может происходить объединение поливакансий, а также их деление и формирование вакансионных кластеров. Согласно геометрическому критерию, подложка Ag (001) обеспечивает большую устойчивость совершенного двухслойного силицена. Однако более низкое значение энергии дефектного силицена на этой подложке наблюдается только при наличии в нем моно- и бивакансий. Изменение размера дефектов создает смену энергетического приоритета в выборе между подложками Ag (001) и Ag (111). Движение иона лития по расширенному каналу между двумя листами силицена приводит к дальнейшему разупорядочению дефектной структуры силицена, при этом наиболее сильные напряжения в силицене создаются силами, направленными перпендикулярно напряженности внешнего электрического поля. Эти силы доминируют в силиценовом канале, стенка которого поддерживается подложкой Ag (001) или Ag (111). Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект N 6-13-00061). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44496.300
  1. P. Vogt, P. de Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M.C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, G. le Lay. Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012)
  2. B.J. Feng, Z. Ding, Sh. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, K. Wu. Nano Lett. 12, 3507 (2012)
  3. A. Fleurence, R. Friedlein, T. Ozaki, H. Kawai, Y. Wang, Y. Yamada-Takamura. Phys. Rev. Lett. 108, 245501 (2012)
  4. L. Meng, Y. Wang, L. Zhang, Sh. Du, R. Wu, L. Li, Y. Zhang, G. Li, H. Zhou, W.A. Hofer, H.-J. Gao. Nano Lett. 13, 685 (2013)
  5. M.R. Tchalala, H. Enriquez, A.J. Mayne, A. Kara, S. Roth, M.G. Silly, A. Bendounan, F. Sirotti, T. Greber, B. Aufray, G. Dujardin, M.A. Ali, H. Oughaddou. Appl. Phys. Lett. 102, 083107 (2013)
  6. G. le Lay, B. Aufray, C. Leandri, H. Oughaddou, J.-P. Biberian, P. de Padova, M.E. Davila, B. Ealet, A. Kara. Appl. Surf. Sci. 256, 524 (2009)
  7. F. Banhart, J. Kotakoski, A.V. Krasheninnikov. ACS Nano 5, 26 (2011)
  8. А.Е. Галашев. ЖТФ 84, 1 (2014)
  9. J.F. Guo, J.F. Zhang, H.S. Liu, Q. Zhang, J. Zhao. Nanoscale 5, 9785 (2013)
  10. V.O. Ozcelik, H.H. Gurel, S. Ciraci. Phys. Rev. B 88, 045440 (2013)
  11. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова. УФН 184, 1045 (2014)
  12. W. Hu, X. Wu, Z. Li, J. Yang. Nanoscale 5, 9062 (2013)
  13. A. Ambrosetti, P.L. Silvestrelli. J. Phys. Chem. C 118, 19172 (2014)
  14. G.R. Berdiyorov, F.M. Peeters. RSC Adv. 4, 1133 (2014)
  15. H. Jamgotchian, Y. Colignon, B. Ealet, B. Parditka, J.-Y. Hoarau, C. Girardeaux, B. Aufray, J.-P. Biberian. J. Phys. 491, 012001 (2014)
  16. S. Li, Y. Wu, Y. Tu, Y. Wang, T. Jiang, W. Liu, Y. Zhao. Sci. Rep. 5, 7881 (2015)
  17. T.H. Osborn, A.A. Farajian. J. Phys. Chem. C 116, 22916 (2012)
  18. J. Tersoff. Phys. Rev. B 49, 16349 (1994)
  19. А.Е. Галашев, О.Р. Рахманова, Ю.П. Зайков. ФТТ 58, 9, 1786 (2016)
  20. R. Yu, P. Zhai, G. Li, L. Liu. J. Electron. Mater. 41, 1465 (2012)
  21. K.-N. Chiang, C.-Y. Chou, C.-J. Wu, C.-J. Huang, M.-C. Yew. ICCES 9, 130 (2009)
  22. S.K. Das, D. Roy, S.J. Sengupta. Phys. F 7, 5 (1977)
  23. J.R. Bordin. Physica A 459, 1 (2016)
  24. K. Kawahara, T. Shirasawa, R. Arafune, C.-L. Lin, T. Takahashi, M. Kawai, N. Takagi. Surf. Sci. 623, 25 (2014)
  25. R. Wang, S. Wang, X. Wu. 8.912 arXiv:1305.4789v2 [cond-mat.mes-hall] 23 May 2013. http://www.researchgate.net/publication/ 236871722
  26. B. Peng, F. Cheng, Z. Tao. J. Chen. Chem. Phys. 133, 034701 (2010)
  27. K. Muller, F.F. Krause, A. Beche, M. Schowalter, V. Galioit, S. Loffler, J. Verbeeck, J. Zweck, P. Schattschneider, A. Rosenauer. Nature Commun. 5, 5653 (2014)
  28. А.Е. Галашев, В.А. Полухин. ФММ 115, 742 (2014)
  29. А.Е. Галашев. ФММ 117, 258 (2016)
  30. S.J. Plimpton. Comp. Phys. 117, 1 (1995)
  31. M.R. Chavez-Castillo, M.A. Rodriguez-Meza, L. Meza-Montes. Rev. Mexic. Fis. 58, 139 (2012)
  32. F.H. Stillinger, T.A. Weber. Phys. Rev. 31, 5262 (1985)
  33. G.L. Lay. 8.912 www.uv.es/wsetld/archivos/Monday/ws10-Le-Lay.pdf
  34. А.Е. Галашев, В.А. Полухин. ЖФХ 88, 997 (2014)
  35. А.Е. Галашев, В.А. Полухин. ФТТ 55, 1620 (2013)
  36. А.Е. Галашев, А.А. Галашева. Химия высоких энергий 48, 142 (2014)
  37. А.Е. Галашев, И.А. Измоденов, А.Н. Новрузов, О.А. Новрузова. ФТП 41, 196 (2007)
  38. А.Е. Галашев, В.А. Полухин, И.А. Измоденов, О.Р. Рахманова. Физика и химия стекла 32, 137 (2006)
  39. M.A. Ledina, X. Liang, Y.G. Kim, J. Jung, B. Perdue, C. Tsang, M.P. Soriaga, J.L. Stickney. ECS Transact. 66, 6 129 (2015)
  40. T.P. Kaloni, M. Tahir, U. Schwingenschlogl. Sci. Rep. 3, 3192 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.