Издателям
Вышедшие номера
Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSexTe1-x в сильных электрических полях
Тагиев Б.Г.1,2, Тагиев О.Б.2,3
1Национальная академия авиации, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Email: oktay58@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Представлены результаты исследования эффекта Пула--Френкеля с учетом экранирования в слоистых монокристаллах GaSe, GaTe и твердых растворах на их основе в сильных электрических полях до 105 V/cm при температурах 103-250 K. В соответствии с соотношением l((0) r)1/2 (0)=Esqrt()sqrt 4 n(0)kT наблюдается линейная зависимость между l( (0)r)1/2 (0) и величиной электрического поля E (sigma --- электропроводность в сильных электрических полях, sigma(0) --- электропроводность в области выполнения закона Ома). Определены наклоны этих прямых при различных температурах (103-250 K) на основании оценки концентрации n(0)=3·1013-5·1015 cm-3 носителей тока в омической области электропроводности твердых растворов слоистых монокристаллов GaSexTe1-x (x=1.00, 0.95, 0.90, 0.80, 0.70, 0.30, 0.20, 0.10, 0). Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (грант N EIF-BGM-2-BRFTF-1-2012/2013-07/02/1). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44477.037
  • J. Pellicer-Porres, F.J. Manjon, A.A. Segure, V. Munoz. Phys. Rev. B 60, 8871 (1999)
  • И.М. Будзуляк, И.И. Григорчак, Б.К. Остафийчук, Л.С. Яблонь. ЖТФ 72, 6, 41 (2002)
  • Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, В.Я. Данчев, А.М. Назаров, Н.В. Фараджев, М.Б. Гаджиев. Азерб. физ. журн. 13, 4, 124 (2007)
  • Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, В.Я. Данчев, А.М. Назаров, Н.В. Фараджев. Азерб. физ. журн. 14, 3, 61 (2008)
  • А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма в ЖТФ 33, 2, 80 (2007)
  • В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП 44, 1194 (2010)
  • J.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 647 (1938)
  • А.А. Березин, В.К. Зайцев, М.М. Казаник, Н. Ткаленко. ФТТ 14, 2813 (1972)
  • L. Hrivnak. Phys. Status Solidi A 36, 5519 (1976)
  • А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. Мир, М. (1986). С. 469--475
  • А.И. Губанов. ЖТЭФ 24, 308 (1954)
  • В.В. Горбачев, В.Е. Квасков. Изв. вузов. Физика 2, 108 (1970)
  • Ю.К. Шалабутов. Введение в физику полупроводников. Наука, Л. (1964) С. 153--160
  • Б.Г. Тагиев, Г.Ш. Гасанов, Г.М. Мамедов. Изв. АН АзССР 1, 19 (1975)
  • H.M. Chenari, H. Sedghi, M. Talebian, M.M. Golzan, A. Hassanzadeh. J. Nanomater. 2011, 190391 (2011)
  • В.Я. Дегода, Г.П. Подуст. ФТП 48, 289 (2014)
  • Ф.Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах. Физматгиз, М. (1986). 224 с
  • А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников. Изд-во АН СССР, М.--Л. (1957). С. 103--107
  • Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982). С. 423--433
  • В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. шк., (1984). С. 196--205
  • A.K. Jonscher. J. Phys. C 3, L159 (1970)
  • Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Физматгиз, М. (1963). С. 185--204
  • Н.И. Калитеевский. Волновая оптика. Высш. шк., М. (1978). C. 34--42
  • Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. Мир, М. (1970). 384 с
  • В.И. Денис, Ю.К. Пожела. Горячие электроны. Минтис, Вильнюс (1971). 289 с
  • С.В. Булярской, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1997). С. 25--31
  • В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. Физматлит, М. (2004). С. 241--247
  • R. Mindor, G. Ottaviani, C. Canali. J. Phys. Chеm. Solids 37, 417 (1976)
  • C. Manfredotti, A.M. Mancini, R. Murri, A. Rizzo. L. Vasenelli. Nuova Cimento 39B, 257 (1977)
  • С. Tatsuyama, S. Ichimura. Nuova Cimento 38B, 352 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.