Вышедшие номера
Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSexTe1-x в сильных электрических полях
Тагиев Б.Г.1,2, Тагиев О.Б.2,3
1Национальная академия авиации, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Email: oktay58@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Представлены результаты исследования эффекта Пула-Френкеля с учетом экранирования в слоистых монокристаллах GaSe, GaTe и твердых растворах на их основе в сильных электрических полях до 105 V/cm при температурах 103-250 K. В соответствии с соотношением l((0) r)1/2 (0)=Esqrt()sqrt 4 n(0)kT наблюдается линейная зависимость между l( (0)r)1/2 (0) и величиной электрического поля E (sigma - электропроводность в сильных электрических полях, sigma(0) - электропроводность в области выполнения закона Ома). Определены наклоны этих прямых при различных температурах (103-250 K) на основании оценки концентрации n(0)=3·1013-5·1015 cm-3 носителей тока в омической области электропроводности твердых растворов слоистых монокристаллов GaSexTe1-x (x=1.00, 0.95, 0.90, 0.80, 0.70, 0.30, 0.20, 0.10, 0). Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (грант N EIF-BGM-2-BRFTF-1-2012/2013-07/02/1). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44477.037
  1. J. Pellicer-Porres, F.J. Manjon, A.A. Segure, V. Munoz. Phys. Rev. B 60, 8871 (1999)
  2. И.М. Будзуляк, И.И. Григорчак, Б.К. Остафийчук, Л.С. Яблонь. ЖТФ 72, 6, 41 (2002)
  3. Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, В.Я. Данчев, А.М. Назаров, Н.В. Фараджев, М.Б. Гаджиев. Азерб. физ. журн. 13, 4, 124 (2007)
  4. Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, В.Я. Данчев, А.М. Назаров, Н.В. Фараджев. Азерб. физ. журн. 14, 3, 61 (2008)
  5. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. Письма в ЖТФ 33, 2, 80 (2007)
  6. В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП 44, 1194 (2010)
  7. J.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 647 (1938)
  8. А.А. Березин, В.К. Зайцев, М.М. Казаник, Н. Ткаленко. ФТТ 14, 2813 (1972)
  9. L. Hrivnak. Phys. Status Solidi A 36, 5519 (1976)
  10. А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. Мир, М. (1986). С. 469--475
  11. А.И. Губанов. ЖТЭФ 24, 308 (1954)
  12. В.В. Горбачев, В.Е. Квасков. Изв. вузов. Физика 2, 108 (1970)
  13. Ю.К. Шалабутов. Введение в физику полупроводников. Наука, Л. (1964) С. 153--160
  14. Б.Г. Тагиев, Г.Ш. Гасанов, Г.М. Мамедов. Изв. АН АзССР 1, 19 (1975)
  15. H.M. Chenari, H. Sedghi, M. Talebian, M.M. Golzan, A. Hassanzadeh. J. Nanomater. 2011, 190391 (2011)
  16. В.Я. Дегода, Г.П. Подуст. ФТП 48, 289 (2014)
  17. Ф.Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах. Физматгиз, М. (1986). 224 с
  18. А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников. Изд-во АН СССР, М.--Л. (1957). С. 103--107
  19. Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982). С. 423--433
  20. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. шк., (1984). С. 196--205
  21. A.K. Jonscher. J. Phys. C 3, L159 (1970)
  22. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Физматгиз, М. (1963). С. 185--204
  23. Н.И. Калитеевский. Волновая оптика. Высш. шк., М. (1978). C. 34--42
  24. Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. Мир, М. (1970). 384 с
  25. В.И. Денис, Ю.К. Пожела. Горячие электроны. Минтис, Вильнюс (1971). 289 с
  26. С.В. Булярской, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1997). С. 25--31
  27. В.И. Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. Физматлит, М. (2004). С. 241--247
  28. R. Mindor, G. Ottaviani, C. Canali. J. Phys. Chеm. Solids 37, 417 (1976)
  29. C. Manfredotti, A.M. Mancini, R. Murri, A. Rizzo. L. Vasenelli. Nuova Cimento 39B, 257 (1977)
  30. С. Tatsuyama, S. Ichimura. Nuova Cimento 38B, 352 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.