Издателям
Вышедшие номера
Особенности электропереноса в структуре фоторефрактивного легированного кристалла Bi12TiO20:Ru
Аванесян В.Т.1, Пайма К.И.1, Стожаров В.М.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: avanesyan@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Изучена проводимость кристаллов Bi12TiO20:Ru на переменном токе в интервале частот 102...106 Hz и температур 293...773 K. Анализ экспериментальных данных проводится в рамках модели коррелированных барьерных прыжков. В исследуемом материале потенциальные барьеры обусловлены наличием блочной структуры, дефектов кристаллической решетки, а также присутствием примеси рутения. В легированных монокристаллах титаната висмута определены микропараметры, характеризующие процесс переноса заряда. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания 24/14-ПГЗ. DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44476.363
  • М.Г. Кистенева, Е.С. Худякова, С.М. Шандаров, А.С. Акрестина, В.Г. Дю, Ю.Ф. Каргин. Квантовая электрон. 45, 685 (2015)
  • В.К. Малиновский, О.А. Гудаев, В.А. Гусев, С.И. Деменко. Фотоиндуцированные явления в силленитах. Наука, Новосибирск. 1990. 160 с
  • Ю.Ф. Каргин, В.И. Бурков, А.А. Марьин, А.В. Егорышева. Кристаллы Bi-=SUB=-12-=/SUB=-M-=SUB=-x-=/SUB=-O-=SUB=-20-=/SUB=- со структурой силленита. Синтез, строение, свойства. Буква, М. (2004). 312 с
  • Т.В. Панченко, К.Ю. Стрелец. ФТТ 51, 277 (2009)
  • V. Belruss, J. Kalnajs, A. Linz. Mater. Res. Bull. 6, 899 (1971)
  • V. Marinova, S.H. Lin, V. Sainov, M. Gospodinov, K.Y. Hsu. J. Opt. A 5, S500 (2003)
  • В.Б. Вайнштейн, Л.М. Инденбом, В.М. Фридкин. Современная кристаллография. Наука, М. (1979). Т. 2. 367 с
  • Р.Н. Бекимбетов. Неорган. материалы 38, 953 (2002)
  • В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 363 с
  • А.Ю. Кудзин, С.Н. Пляка,  Г.Х. Соколянский. ФТТ 42, 839 (2000)
  • V. Marinova, E. Goovaerts. Bulg. Chem. Commun. 45, 218 (2013)
  • G.E. Pike. Phys. Rev. 6, 1572 (1972)
  • S.R. Elliott. Phil. Mag. 36, 1291 (1977)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 4176 с
  • Pollak. Phil. Mag., 23, 519 (1971)
  • В.Т. Аванесян, К.И. Пайма. ФТТ 58, 1510 (2016)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 368 с
  • В.Т. Аванесян, М.П. Севрюгина. Материалы Междунар. науч.-техн. конф. Intermatic-2012. M. (2012). Ч. 2. С. 124
  • M. Pollak. Phys. Rev., 122, 1742 (1961)
  • A. Lima, M. Lalic. J. Phys. Condens. Matter. 25, 495505 (2013)
  • В.Т. Аванесян, Н.М. Абрамова. ФТТ 57, 2112 (2015)
  • В.Т. Аванесян, Н.М. Абрамова. ФТТ 57, 1084 (2015)
  • V. Marinova, Mei-Li Hsieha, Shiuan Huei Linb, Ken Yuh Hsu. Opt. Commun. 203, 377 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.