Вышедшие номера
Особенности электропереноса в структуре фоторефрактивного легированного кристалла Bi12TiO20:Ru
Аванесян В.Т.1, Пайма К.И.1, Стожаров В.М.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: avanesyan@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Изучена проводимость кристаллов Bi12TiO20:Ru на переменном токе в интервале частот 102...106 Hz и температур 293...773 K. Анализ экспериментальных данных проводится в рамках модели коррелированных барьерных прыжков. В исследуемом материале потенциальные барьеры обусловлены наличием блочной структуры, дефектов кристаллической решетки, а также присутствием примеси рутения. В легированных монокристаллах титаната висмута определены микропараметры, характеризующие процесс переноса заряда. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания 24/14-ПГЗ. DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44476.363
  1. М.Г. Кистенева, Е.С. Худякова, С.М. Шандаров, А.С. Акрестина, В.Г. Дю, Ю.Ф. Каргин. Квантовая электрон. 45, 685 (2015)
  2. В.К. Малиновский, О.А. Гудаев, В.А. Гусев, С.И. Деменко. Фотоиндуцированные явления в силленитах. Наука, Новосибирск. 1990. 160 с
  3. Ю.Ф. Каргин, В.И. Бурков, А.А. Марьин, А.В. Егорышева. Кристаллы Bi-=SUB=-12-=/SUB=-M-=SUB=-x-=/SUB=-O-=SUB=-20-=/SUB=- со структурой силленита. Синтез, строение, свойства. Буква, М. (2004). 312 с
  4. Т.В. Панченко, К.Ю. Стрелец. ФТТ 51, 277 (2009)
  5. V. Belruss, J. Kalnajs, A. Linz. Mater. Res. Bull. 6, 899 (1971)
  6. V. Marinova, S.H. Lin, V. Sainov, M. Gospodinov, K.Y. Hsu. J. Opt. A 5, S500 (2003)
  7. В.Б. Вайнштейн, Л.М. Инденбом, В.М. Фридкин. Современная кристаллография. Наука, М. (1979). Т. 2. 367 с
  8. Р.Н. Бекимбетов. Неорган. материалы 38, 953 (2002)
  9. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 363 с
  10. А.Ю. Кудзин, С.Н. Пляка,  Г.Х. Соколянский. ФТТ 42, 839 (2000)
  11. V. Marinova, E. Goovaerts. Bulg. Chem. Commun. 45, 218 (2013)
  12. G.E. Pike. Phys. Rev. 6, 1572 (1972)
  13. S.R. Elliott. Phil. Mag. 36, 1291 (1977)
  14. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 4176 с
  15. Pollak. Phil. Mag., 23, 519 (1971)
  16. В.Т. Аванесян, К.И. Пайма. ФТТ 58, 1510 (2016)
  17. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 368 с
  18. В.Т. Аванесян, М.П. Севрюгина. Материалы Междунар. науч.-техн. конф. Intermatic-2012. M. (2012). Ч. 2. С. 124
  19. M. Pollak. Phys. Rev., 122, 1742 (1961)
  20. A. Lima, M. Lalic. J. Phys. Condens. Matter. 25, 495505 (2013)
  21. В.Т. Аванесян, Н.М. Абрамова. ФТТ 57, 2112 (2015)
  22. В.Т. Аванесян, Н.М. Абрамова. ФТТ 57, 1084 (2015)
  23. V. Marinova, Mei-Li Hsieha, Shiuan Huei Linb, Ken Yuh Hsu. Opt. Commun. 203, 377 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.