Вышедшие номера
Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), СПИН, 01201463330
УрО РАН, 15-17-2-17
Кулеев И.И.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: kuleyevII@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах. Показано, что длины свободного пробега фононов для достаточно широких пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями 100 и 111 и длинами пленок, меньшими или равными их ширины, являются изотропными (не зависят от направления градиента температуры в плоскости пленки). А анизотропии длин пробега фононов зависит главным образом от ориентации плоскости пленки и определяется фокусировкой и дефокусировкой фононных мод. Для пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями 100 и 111 и длинами пленок, гораздо больших их ширины, длины свободного пробега фононов становятся анизотропными. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Спин" N 01201463330) при поддержке Программы УрО РАН (проект N 15-17-2-17) и Минобрнауки РФ (грант N 14.Z50.31.0025). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44267.294
  1. D.G. Cahill, W.K. Ford, K.E. Goodson, G.D. Mahan, A. Majumdar, H.J. Maris, R. Merlin, S.R. Phillpot. J. Appl. Phys. 93, 793 (2003)
  2. A.D. McConnell, K.E. Goodson. Ann. Rev. Heat Trans. 14, 128 (2005)
  3. D.G. Cahill, P.V. Braun, G. Chen, D.R. Clarke, S. Fan, K.E. Goodson, P. Keblinski, W.P. King, G.D. Mahan, A. Majumdar, H.J. Maris, S.R. Phillpot, E. Pop, L. Shi. Appl. Phys. Rev. 1, 011 305 (2014)
  4. D. Li, Y. Wu, P. Kim, L. Shi, P. Yang, A. Majumdar. Appl. Phys. Lett. 83, 2934 (2003)
  5. A.K. McCurdy, H.J. Maris, C. Erlbaum. Phys. Rev. B 2, 4077 (1970)
  6. H.J. Maris, S. Tamura. Phys. Rev. B 85, 054 304 (2012)
  7. И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев, С.М. Бахарев. ЖЭТФ 145, 292 (2014)
  8. H.B.G. Casimir. Physica 5, 495 (1938)
  9. B. Taylor, H.J. Maris, C. Elbaum. Phys. Rev. Letters 23, 416 (1969)
  10. H.J. Maris, J. Acoust. Soc. Am. 50, 812 (1971)
  11. J.P. Wolfe. Imaging Phonons Acoustic Wave Propagation in Solids. Cambridge University Press, N.Y. (1998)
  12. Дж. Займан. Электроны и фононы. ИЛ, М. (1962). 488 с
  13. Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). 536 с
  14. W. Liu, M. Asheghi. Appl. Phys. Lett. 84, 3819 (2004)
  15. M. Asheghi, M.N. Touzelbaev, K.E. Goodson, Y.K. Leung, S.S. Wong. J. Heat Trans. 120, 30 (1998)
  16. M. Asheghi, Y.K. Leung, S.S. Wong, K.E. Goodson. Appl. Phys. Lett. 71, 1798 (1997)
  17. Y.F. Zhu, J.S. Lian, Q. Jiang. Appl. Phys. Lett. 92, 113 101 (2008)
  18. J.E. Turney, A.J.H. McGaughey, C.H. Amon. J. Appl. Phys. 107, 024 317 (2010)
  19. Z. Aksamija, I. Knezevic. Phys. Rev. B 82, 045 319 (2010)
  20. K. Fuchs. Math. Proc. Cambridge Phil. Soc. 34, 100 (1938)
  21. E.H. Sondheimer. Adv. Phys. 1, 1 (1952)
  22. M.P. Zaitlin, L.M. Scherr, A.C. Anderson. Phys. Rev. B 12, 4487 (1975)
  23. I.I. Kuleyev, I.G. Kuleyev, S.M. Bakharev, A.V. Inyushkin. Physica B 416, 81 (2013)
  24. И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев, С.М. Бахарев. ЖЭТФ 146, 525 (2014)
  25. И.И. Кулеев, И.Г. Кулеев, С.М. Бахарев, А.В. Инюшкин. ФТТ 55, 24 (2013)
  26. N. Mingo. Phys. Rev. B 68, 113 308 (2003)
  27. И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев. ФТТ 49, 422 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.