Издателям
Вышедшие номера
Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), СПИН, 01201463330
УрО РАН, 15-17-2-17
Кулеев И.И.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: kuleyevII@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах. Показано, что длины свободного пробега фононов для достаточно широких пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями 100 и 111 и длинами пленок, меньшими или равными их ширины, являются изотропными (не зависят от направления градиента температуры в плоскости пленки). А анизотропии длин пробега фононов зависит главным образом от ориентации плоскости пленки и определяется фокусировкой и дефокусировкой фононных мод. Для пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями 100 и 111 и длинами пленок, гораздо больших их ширины, длины свободного пробега фононов становятся анизотропными. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Спин" N 01201463330) при поддержке Программы УрО РАН (проект N 15-17-2-17) и Минобрнауки РФ (грант N 14.Z50.31.0025). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44267.294
  • D.G. Cahill, W.K. Ford, K.E. Goodson, G.D. Mahan, A. Majumdar, H.J. Maris, R. Merlin, S.R. Phillpot. J. Appl. Phys. 93, 793 (2003)
  • A.D. McConnell, K.E. Goodson. Ann. Rev. Heat Trans. 14, 128 (2005)
  • D.G. Cahill, P.V. Braun, G. Chen, D.R. Clarke, S. Fan, K.E. Goodson, P. Keblinski, W.P. King, G.D. Mahan, A. Majumdar, H.J. Maris, S.R. Phillpot, E. Pop, L. Shi. Appl. Phys. Rev. 1, 011 305 (2014)
  • D. Li, Y. Wu, P. Kim, L. Shi, P. Yang, A. Majumdar. Appl. Phys. Lett. 83, 2934 (2003)
  • A.K. McCurdy, H.J. Maris, C. Erlbaum. Phys. Rev. B 2, 4077 (1970)
  • H.J. Maris, S. Tamura. Phys. Rev. B 85, 054 304 (2012)
  • И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев, С.М. Бахарев. ЖЭТФ 145, 292 (2014)
  • H.B.G. Casimir. Physica 5, 495 (1938)
  • B. Taylor, H.J. Maris, C. Elbaum. Phys. Rev. Letters 23, 416 (1969)
  • H.J. Maris, J. Acoust. Soc. Am. 50, 812 (1971)
  • J.P. Wolfe. Imaging Phonons Acoustic Wave Propagation in Solids. Cambridge University Press, N.Y. (1998)
  • Дж. Займан. Электроны и фононы. ИЛ, М. (1962). 488 с
  • Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). 536 с
  • W. Liu, M. Asheghi. Appl. Phys. Lett. 84, 3819 (2004)
  • M. Asheghi, M.N. Touzelbaev, K.E. Goodson, Y.K. Leung, S.S. Wong. J. Heat Trans. 120, 30 (1998)
  • M. Asheghi, Y.K. Leung, S.S. Wong, K.E. Goodson. Appl. Phys. Lett. 71, 1798 (1997)
  • Y.F. Zhu, J.S. Lian, Q. Jiang. Appl. Phys. Lett. 92, 113 101 (2008)
  • J.E. Turney, A.J.H. McGaughey, C.H. Amon. J. Appl. Phys. 107, 024 317 (2010)
  • Z. Aksamija, I. Knezevic. Phys. Rev. B 82, 045 319 (2010)
  • K. Fuchs. Math. Proc. Cambridge Phil. Soc. 34, 100 (1938)
  • E.H. Sondheimer. Adv. Phys. 1, 1 (1952)
  • M.P. Zaitlin, L.M. Scherr, A.C. Anderson. Phys. Rev. B 12, 4487 (1975)
  • I.I. Kuleyev, I.G. Kuleyev, S.M. Bakharev, A.V. Inyushkin. Physica B 416, 81 (2013)
  • И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев, С.М. Бахарев. ЖЭТФ 146, 525 (2014)
  • И.И. Кулеев, И.Г. Кулеев, С.М. Бахарев, А.В. Инюшкин. ФТТ 55, 24 (2013)
  • N. Mingo. Phys. Rev. B 68, 113 308 (2003)
  • И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев. ФТТ 49, 422 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.