Издателям
Вышедшие номера
Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
Кукушкин С.А. 1,2,3, Осипов А.В.1,3, Бессолов В.Н.1,4, Коненкова Е.В.1,4, Пантелеев В.Н.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si(111). Эффект заключается в том, что при достижении слоем GaN, растущим на AlN/SiC/Si(111) определенной толщины ~300 nm, дислокации несоответствия первоначально, распространяющиеся вдоль оси роста слоя останавливаются и начинают двигаться в перпендикулярном к оси роста направлению. Построена теоретическая модель зарождения AlN и GaN на грани (111) SiC/Si, объясняющая эффект изменения направления движения дислокации несоответствия. Обнаружен экспериментально и объяснен теоретически эффект смены механизма зарождения с островкового для AlN на SiC/Si(111) на послойный при зарождении слоя GaN на AlN/SiC/Si. Авторы благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНУ) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН (г. Санкт-Петербург). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44266.287
  • S. Pimputkar, J.S. Speck, S.P. DenBars, S. Nakamura. Nature Photon 3, 180 (2009)
  • J. Komiyama, D. Yoshihisa, S. Suzuki, K. Toru, H. Nakanishi. Appl. Phys. Lett. 88, 091 901 (2006)
  • G. Ferro. Solid State Mater. Sci. 40, 56 (2015)
  • A. Severinoa, C. Lockeb, R. Anzalonea, M. Camardaa, N. Pilusoa, A.La Magnaa, S.E. Saddowb, G. Abbondanzac, G.D'Arrigoa, F.La Viaa. ECS Transactions 35, 99 (2011)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 725 (2016)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci. 38, 75 (2014)
  • L.M. Sorokin, A.V. Myasoedov, A.E. Kalmykov, D.A. Kirilenko, V.N. Bessolov, S.A. Kukushkin. Semicond. Sci. Technol. 30, 114 002 (2015)
  • В.Н. Бессолов, В.Ю. Давыдов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Г.Н. Мосина, С.Д. Раевский, С.Н. Родин, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, P.H. Seok, K. Masayoshi. ПЖТФ 31, 30 (2005)
  • J.W. Matthews, A.E. Blackeslee, S. Mader. Thin Solid Films 33, 253 (1976)
  • А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров. Образование кристаллов. Современная кристаллография. Т. 3 / Под ред. В.К. Вайнштейна, А.А. Чернова, Л.А. Шувалова. Наука, M. (1980). 408 с
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Progr. Surf. Sci. 151, 1 (1996)
  • S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta Metal. Mater. 41, 1237 (1993)
  • S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta Metal. Mater. 42, 2797 (1994)
  • T.V. Sakalo, S.A. Kukushkin. Appl. Surf. Sci. 92, 350 (1996)
  • Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков, В.Н. Бессолов, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин, Н.В. Веселов. ПЖТФ 37, 72 (2011)
  • K. Hiramatsu. Effects of buffer layers and advanced technologies on heteroepitaxy of GaN. Advances in Crystal Growth Research / Eds K. Sato, Y. Furukawa, K. Nakajima. Elsevier Amsterdam--London--N. Y.--Oxford--Paris--Shannon--Tokyo (2001). P. 210
  • Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 153 (2015)
  • J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheer, J. Northrup. Appl. Surf. Sci. 159--160, 355 (2000)
  • X. Gonze, B. Amadon, P.M. Anglade, J.-M. Beuken, F. Bottin, P. Boulanger, F. Bruneval, D. Caliste, R. Caracas, M. Cote, T. Deutsch, L. Genovese, Ph. Ghosez, M. Giantomassi, S. Goedecker, D. Hamann, P. Hermet, F. Jollet, G. Jomard, S. Leroux, M. Mancini, S. Mazevet, M.J.T. Oliveira, G. Onida, Y. Pouillon, T. Rangel, G.-M. Rignanese, D. Sangalli, R. Shaltaf, M. Torrent, M.J. Verstraete, G. Z'erah, J.W. Zwanziger. Comp. Phys. Commun. 180, 2582 (2009)
  • Silicon Carbide / Eds W.J. Choyke, H.M. Matsunami, G. Pensl. Akademie Berlin (1998). V. 2
  • В.Г. Дубровский. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. Физматлит, М. (2009). 351 с
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков. ФТТ 56, 2440 (2014)
  • Y. Kumagai, K. Takemoto, J. Kikuchi, T. Hasegawa, H. Murakami, A. Koukitu. Phys. Status Solidi (b) 243, 1431 (2006)
  • A. Koukitu, S. Hama, T. Taki, H. Seki. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 762 (1998)
  • А.А. Барыбин. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. Физматлит. М. (2006). 424 с
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.