Вышедшие номера
Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1, Сергеева О.Н.2, Киселев Д.А.3, Богомолов А.А.2, Солнышкин А.В.2, Каптелов Е.Ю.4, Сенкевич С.В.1,4, Пронин И.П.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Тверской государственный университет, Тверь, Россия
3Московский институт стали и сплавов МИСиС", Москва, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: o_n_sergeeva@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si. Исследовалась топография поверхности, пьезоэлектрический и пироэлектрический отклики пленок AlN. Результаты исследования показали, что вертикальная составляющая пьезоотклика в пленках AlN, выращенных методом ХГЭ, более однородная по площади пленки, чем в пленках AlN, выращенных методом МЛЭ. Однако сама величина сигнала у пленки AlN, синтезированной МЛЭ, оказалась выше. Экспериментально обнаружен эффект инверсии полярной оси (вектора поляризации) при переходе от пленок AlN, выращенных методом МЛЭ, к пленкам, выращенным методом ХГЭ. Показано, что полярная ось в пленках, выращенных методом МЛЭ, направлена от свободной поверхности пленки к подложке Si, тогда как в пленках, выращенных методом ХГЭ, вектор поляризации, напротив, направлен к поверхности образца. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и С.В. Сенкевич благодарят Российский научный фонд за финансовую поддержку данной работы (грант N 14-12-01102). АСМ исследования выполнены на оборудовании ЦКП "Материаловедение и металлургия" НИТУ "МИСиС" при поддержке Минобрнауки.
  1. V. Fuflyigin, E. Salley, A. Osinsky, P. Norris. Appl. Phys. Lett. 77, 3075 (2000)
  2. S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceram. 12, 7 (2004)
  3. K. Tonisch, V. Cimalla, Ch. Foerster, H. Romanus, O. Ambacher, D. Dontsov. Sensors Actuators A 132, 658 (2006)
  4. E.E. Crisman, J.S. Derov, A.J. Drehman, O.J. Gregory. Electrochem. Solid State Lett. 8, 3, H31 (2005)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  6. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys D. 47, 313 001 (2014)
  7. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. ПЖТФ 36, 11, 17 (2010)
  8. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Опт. журн. 78, 7, 23 (2011)
  9. O.N. Sergeeva, A.A. Bogomolov, A.V. Solnyshkin, N.V. Komarov, S.A. Kukushkin, D.M. Krasovitsky, A.L. Dudin, D.A. Kiselev, S.V. Ksenich, S.V. Senkevich, E.Yu. Kaptelov, I.P. Pronin. Ferroelectrics 477, 443 (2015)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Успехи физ. наук 168, 10, 1083 (1998)
  11. H.J. Zajosz. Thin Solid Films 62, 2, 229 (1979)
  12. S.V. Yablonskii, E.A. Soto-Bustamante. J. Exp. Theor. Phys. 111, 814 (2010)
  13. M. Botea, A. Iuga, L. Pintilie. Appl. Phys. Lett. 103, 232 902 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.