Издателям
Вышедшие номера
Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1, Сергеева О.Н.2, Киселев Д.А.3, Богомолов А.А.2, Солнышкин А.В.2, Каптелов Е.Ю.4, Сенкевич С.В.1,4, Пронин И.П.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Тверской государственный университет, Тверь, Россия
3Московский институт стали и сплавов МИСиС", Москва, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: o_n_sergeeva@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si. Исследовалась топография поверхности, пьезоэлектрический и пироэлектрический отклики пленок AlN. Результаты исследования показали, что вертикальная составляющая пьезоотклика в пленках AlN, выращенных методом ХГЭ, более однородная по площади пленки, чем в пленках AlN, выращенных методом МЛЭ. Однако сама величина сигнала у пленки AlN, синтезированной МЛЭ, оказалась выше. Экспериментально обнаружен эффект инверсии полярной оси (вектора поляризации) при переходе от пленок AlN, выращенных методом МЛЭ, к пленкам, выращенным методом ХГЭ. Показано, что полярная ось в пленках, выращенных методом МЛЭ, направлена от свободной поверхности пленки к подложке Si, тогда как в пленках, выращенных методом ХГЭ, вектор поляризации, напротив, направлен к поверхности образца. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и С.В. Сенкевич благодарят Российский научный фонд за финансовую поддержку данной работы (грант N 14-12-01102). АСМ исследования выполнены на оборудовании ЦКП "Материаловедение и металлургия" НИТУ "МИСиС" при поддержке Минобрнауки.
  • V. Fuflyigin, E. Salley, A. Osinsky, P. Norris. Appl. Phys. Lett. 77, 3075 (2000)
  • S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceram. 12, 7 (2004)
  • K. Tonisch, V. Cimalla, Ch. Foerster, H. Romanus, O. Ambacher, D. Dontsov. Sensors Actuators A 132, 658 (2006)
  • E.E. Crisman, J.S. Derov, A.J. Drehman, O.J. Gregory. Electrochem. Solid State Lett. 8, 3, H31 (2005)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys D. 47, 313 001 (2014)
  • В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. ПЖТФ 36, 11, 17 (2010)
  • В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Опт. журн. 78, 7, 23 (2011)
  • O.N. Sergeeva, A.A. Bogomolov, A.V. Solnyshkin, N.V. Komarov, S.A. Kukushkin, D.M. Krasovitsky, A.L. Dudin, D.A. Kiselev, S.V. Ksenich, S.V. Senkevich, E.Yu. Kaptelov, I.P. Pronin. Ferroelectrics 477, 443 (2015)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Успехи физ. наук 168, 10, 1083 (1998)
  • H.J. Zajosz. Thin Solid Films 62, 2, 229 (1979)
  • S.V. Yablonskii, E.A. Soto-Bustamante. J. Exp. Theor. Phys. 111, 814 (2010)
  • M. Botea, A. Iuga, L. Pintilie. Appl. Phys. Lett. 103, 232 902 (2013).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.